Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFSL38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL38N20DPBFInfineon / IRMOSFET PLANAR >= 100V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+422.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.90 грн
77+184.55 грн
100+175.05 грн
250+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.22 грн
500+185.81 грн
1000+175.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+204.62 грн
500+196.39 грн
1000+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.51 грн
5000+151.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.22 грн
500+185.81 грн
1000+175.22 грн
10000+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+422.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.20 грн
50+169.25 грн
100+153.90 грн
500+119.20 грн
1000+113.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.63 грн
67+211.40 грн
100+195.70 грн
250+186.37 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+284.70 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+285.07 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.11 грн
50+214.84 грн
100+196.53 грн
500+155.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.69 грн
56+252.19 грн
67+211.20 грн
100+194.34 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF/SAMPLEInfineon TechnologiesSAMPLE INVENTORY REQUEST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL41N15D
на замовлення 17650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4228PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 127
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4321Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4321PBFIR09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410IR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 88A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410TRPBFIR0638+ TO262
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+168.49 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL4410ZPBF - IRFSL4410Z - TRENCH 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+169.81 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510International RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4610Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4610PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4620PBFRochester Electronics, LLCDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4710International RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL52N15DIRTO-262 0611+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL59N10DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.10 грн
500+190.51 грн
1000+179.93 грн
10000+163.30 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.27 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesMOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+151.70 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon / IRMOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7434PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7434PBF - IRFSL7434 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.65 грн
10+177.67 грн
50+137.45 грн
100+116.85 грн
500+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.08 грн
144+98.08 грн
146+97.10 грн
500+77.80 грн
1000+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.20 грн
91+156.17 грн
137+103.49 грн
200+97.07 грн
500+84.84 грн
1000+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+118.78 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.37 грн
50+98.38 грн
100+97.39 грн
500+78.04 грн
1000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF Infineon Technologies
Код товару: 212143
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon / IRMOSFET Trench Mosfet - TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A TO-262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+97.52 грн
100+77.61 грн
500+61.63 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.84 грн
500+97.97 грн
1000+90.35 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]