Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFSL9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.39 грн
50+124.02 грн
100+112.36 грн
500+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ34AFAIRCHILD2003
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ34A
Код товару: 7956
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSZ44SAMSUNGTO-55
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT001IORZIP
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT002IR
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFT003IORZIP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTOXIC10PADSIOR2007
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTOXIC8PADSIOR2007
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.94 грн
321+44.10 грн
500+42.51 грн
1000+39.64 грн
2500+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInternational RectifierMOSF N CH 30V 8.2A TSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: TSOP6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 16349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.51 грн
1072+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
6000+11.42 грн
9000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
6000+11.42 грн
9000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFIRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.63 грн
17+25.35 грн
50+18.66 грн
100+16.57 грн
250+14.14 грн
500+12.47 грн
1000+10.71 грн
1300+10.13 грн
2500+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF
Код товару: 87001
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.48 грн
393+35.99 грн
500+34.69 грн
1000+32.35 грн
2500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineonMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 16432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.11 грн
500+31.80 грн
1000+18.06 грн
3000+17.33 грн
6000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 595 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 5,8 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInternational RectifierMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
12+25.91 грн
100+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU-9310International Rectifier/InfineonР-канальний ПТ, Udss, В = -400, Id = -1,8, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 13, Rds = 7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU010FAIRCHILDTO-251
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU014PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014
Код товару: 77976
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 7,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,20 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 01.11.300
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014AOU454AO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.22 грн
75+51.58 грн
150+46.51 грн
525+41.48 грн
1050+38.03 грн
2025+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
75+62.24 грн
150+55.89 грн
525+43.97 грн
1050+40.30 грн
2025+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.42 грн
273+51.78 грн
303+46.69 грн
525+41.63 грн
1050+38.18 грн
2025+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020
Код товару: 110891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020Vishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay Siliconix14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.88 грн
1051+127.95 грн
2721+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational RectifierPOWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF
Код товару: 112197
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A IPAK Tube
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.09 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A IPAK Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.09 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.35 грн
7+64.60 грн
10+61.67 грн
25+59.08 грн
50+56.82 грн
75+54.98 грн
150+51.88 грн
1050+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF
Код товару: 49505
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/25
Примітка: MOSFET
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+100.00 грн
10+92.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+76.99 грн
191+74.02 грн
500+71.60 грн
1000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 14A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU024PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
75+78.16 грн
150+70.53 грн
525+55.98 грн
1050+51.57 грн
2025+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFIR06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1018EPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]