Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD8778onsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8778ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8778ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780onsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.10 грн
23+33.47 грн
25+33.34 грн
100+28.41 грн
250+26.05 грн
500+24.02 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780
Код товару: 135768
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.81 грн
17+45.33 грн
100+31.13 грн
500+25.52 грн
1000+20.12 грн
2500+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8782ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.81 грн
13+59.53 грн
25+59.15 грн
50+56.66 грн
100+43.93 грн
250+36.94 грн
500+36.44 грн
1000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8782ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8782Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 13 V
на замовлення 119700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+44.06 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796UMWDescription: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.02 грн
50+28.71 грн
100+23.80 грн
500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+44.06 грн
1000+40.63 грн
10000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796onsemiMOSFETs LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V
на замовлення 23432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796UMWDescription: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+44.06 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8796/BKNonsemiDescription: FDD8796/BKN
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870
Код товару: 103193
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.52 грн
500+86.87 грн
1000+80.11 грн
10000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+96.27 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.72 грн
100+27.89 грн
500+20.17 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V NCH PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.26 грн
500+15.25 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8874 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+91.50 грн
500+82.35 грн
1000+75.94 грн
10000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+91.50 грн
500+82.35 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 269542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+91.50 грн
500+82.35 грн
1000+75.94 грн
10000+65.29 грн
100000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8874_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.84 грн
10+76.33 грн
25+75.91 грн
100+61.16 грн
250+56.29 грн
500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.17 грн
5000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.17 грн
5000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.03 грн
190+74.59 грн
223+63.43 грн
250+60.79 грн
500+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.14 грн
100+60.36 грн
500+45.04 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
8+57.87 грн
25+54.51 грн
100+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 30452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.05 грн
12+64.50 грн
25+64.03 грн
50+61.29 грн
100+45.65 грн
250+38.80 грн
500+37.59 грн
1000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8878_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,40A,15 OHMS, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.38 грн
5000+20.82 грн
7500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.42 грн
10+63.99 грн
50+47.13 грн
100+40.17 грн
500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 36412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.89 грн
100+35.63 грн
500+26.07 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.61 грн
100+26.49 грн
500+19.16 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880-GonsemiDescription: FDD8880-G
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880-SN00319onsemiDescription: FDD8880 - 35A, 30V, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 305281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880-SN00319ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 305603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880_F054ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8880_F054 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880_F054Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE
Packaging: Bulk
на замовлення 13660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880_NLON SemiconductorFDD8880_NL
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8882ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.25 грн
20+39.65 грн
25+39.56 грн
100+37.78 грн
250+34.63 грн
500+32.92 грн
1000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 643936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
10000+44.49 грн
100000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.77 грн
500+30.66 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896UMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
10000+44.49 грн
100000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+54.10 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896JGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,5mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 JGSEMI TFDD8896 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 843493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
471+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896(мікросхема)
Код товару: 45662
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.