Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS8870_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990 pF @ 15 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8874_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8875FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876onsemi / FairchildMOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 577941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876-F40onsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876-NLFDS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
9000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.86 грн
690+20.53 грн
700+20.21 грн
712+19.17 грн
1000+17.45 грн
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 571358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.84 грн
10000+22.15 грн
100000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+39.85 грн
50+29.33 грн
100+24.31 грн
500+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.84 грн
10000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.97 грн
100+24.69 грн
500+17.82 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.19 грн
37+20.86 грн
100+19.79 грн
250+18.04 грн
500+17.04 грн
1000+16.75 грн
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 10.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878-F123 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-F123onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-GON SemiconductorFDS8878-G
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 1527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-NLFAIRCHILDSOP8 0849+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878_F123ON SemiconductorFDS8878-F123
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.74 грн
316+44.83 грн
500+35.06 грн
1000+30.39 грн
2500+24.79 грн
5000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+49.06 грн
100+32.31 грн
500+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Technology: PowerTrench®
Drain current: 11.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
11+40.51 грн
50+31.03 грн
100+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.97 грн
13+61.88 грн
100+44.22 грн
500+33.35 грн
1000+27.75 грн
2500+23.48 грн
5000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.90 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.90 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880NLFAI
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,11.6A,10 OHMS, NCH, POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884
Код товару: 34721
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884onsemiMOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
50+18.88 грн
100+15.57 грн
500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884-NLFAIRCHILD09+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884NLFAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.67 грн
5000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.41 грн
500+34.12 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 19477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.11 грн
5000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.78 грн
5000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
7+61.72 грн
10+53.67 грн
50+38.07 грн
100+33.13 грн
500+24.91 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 15644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.85 грн
50+38.43 грн
100+32.00 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896
Код товару: 104417
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8912FAIRCHIL04+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+181.30 грн
50+140.56 грн
100+119.59 грн
500+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.17 грн
109+129.93 грн
110+128.61 грн
122+112.29 грн
250+103.55 грн
500+99.09 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemi / FairchildMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.48 грн
5000+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.