Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS8670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
10000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670FAI11+ SC70-5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670SFAIRCHILD09+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8670_NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+112.31 грн
100+89.41 грн
500+71.00 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.32 грн
10+85.01 грн
25+83.70 грн
50+79.44 грн
100+72.38 грн
250+68.37 грн
500+67.24 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.48 грн
42+18.37 грн
100+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+100.24 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
10+95.92 грн
100+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690-NLFDS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8690_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8812NZFAIRCHILD09+ TSOP
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+89.42 грн
500+80.48 грн
1000+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.44 грн
13+62.48 грн
25+61.51 грн
50+58.39 грн
100+53.21 грн
250+50.25 грн
500+49.42 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+89.42 грн
500+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.99 грн
500+49.29 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 57401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+89.42 грн
500+80.48 грн
1000+74.22 грн
10000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.37 грн
100+63.24 грн
500+47.23 грн
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+89.42 грн
500+80.48 грн
1000+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.48 грн
230+61.51 грн
234+60.55 грн
238+57.46 грн
250+52.34 грн
500+49.42 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
11+81.04 грн
100+59.99 грн
500+49.29 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZonsemi / FairchildMOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+89.42 грн
500+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
на замовлення 37762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.29 грн
5000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8817NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZ-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8817NZ-NLFAIRCHILSOP8
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+102.20 грн
100+73.12 грн
500+56.54 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZonsemi / FairchildMOSFETs PT4 Nch with Zener
на замовлення 22694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZonsemiMOSFETs PT4 Nch with Zener
на замовлення 20012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.96 грн
5000+22.26 грн
7500+21.36 грн
12500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
12+73.56 грн
100+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZonsemi / FairchildMOSFETs 40V NCh PowerTrench w/MOSFET
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.72 грн
5000+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.84 грн
11+69.24 грн
100+57.37 грн
500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.70 грн
5000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8843ASOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.82 грн
318+44.53 грн
386+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.61 грн
500+35.47 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.96 грн
6+75.48 грн
10+64.49 грн
50+43.36 грн
100+37.24 грн
500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+50.11 грн
1000+46.20 грн
10000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.35 грн
5000+34.04 грн
7500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
50+73.16 грн
100+48.61 грн
500+35.47 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.35 грн
5000+34.04 грн
7500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.93 грн
1000+41.15 грн
2500+36.77 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZonsemiMOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.31 грн
100+42.80 грн
500+31.48 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.56 грн
14+54.88 грн
25+54.82 грн
100+42.94 грн
250+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZONS/FAIMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8858CZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+96.84 грн
100+71.54 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4615 @ 15, Qg, нКл = 112 @ 10 В, Rds = 4,2 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]