Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+234.55 грн
500+221.58 грн
1000+209.80 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+234.55 грн
500+221.58 грн
1000+209.80 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+234.55 грн
500+221.58 грн
1000+209.80 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.85 грн
10+337.68 грн
50+264.06 грн
100+231.78 грн
500+189.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.51 грн
3000+173.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.46 грн
51+279.35 грн
100+200.20 грн
500+183.81 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.77 грн
10+229.91 грн
50+179.80 грн
100+153.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS® -T2
Drain current: 180A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+427.61 грн
48+295.63 грн
56+253.19 грн
100+200.50 грн
500+170.48 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+200.37 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.01 грн
3000+171.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.02 грн
36+394.50 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.10 грн
10+317.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
10000+256.86 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.06 грн
10+393.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+561.79 грн
36+394.01 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+719.42 грн
25+688.52 грн
50+662.28 грн
100+616.96 грн
250+553.94 грн
500+517.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+593.95 грн
25+568.44 грн
50+546.78 грн
100+509.36 грн
250+457.32 грн
500+427.09 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
10000+232.99 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+258.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.83 грн
10+293.08 грн
50+231.45 грн
100+198.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.41 грн
10+456.22 грн
50+360.29 грн
100+317.65 грн
500+257.98 грн
1000+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+572.63 грн
36+393.62 грн
50+375.74 грн
100+257.80 грн
250+245.00 грн
500+218.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+589.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+241.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.45 грн
36+398.96 грн
37+388.18 грн
50+333.11 грн
100+259.79 грн
250+248.32 грн
500+200.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+238.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.19 грн
39+368.08 грн
100+271.32 грн
500+220.48 грн
1000+202.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.08 грн
39+368.57 грн
100+272.03 грн
500+227.38 грн
1000+208.37 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+296.93 грн
100+214.54 грн
500+168.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.12 грн
500+275.80 грн
1000+260.48 грн
10000+236.40 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.20 грн
10+367.94 грн
100+271.56 грн
500+227.00 грн
1000+208.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4-03Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
10000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+366.72 грн
59+240.35 грн
100+180.85 грн
500+161.89 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
10+189.38 грн
50+146.94 грн
100+125.07 грн
500+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.61 грн
56+253.28 грн
100+186.27 грн
500+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.97 грн
10+252.85 грн
100+185.96 грн
500+147.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+152.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 22074 шт:
термін постачання 397-406 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02
Код товару: 148550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.11 грн
57+251.74 грн
100+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1
Код товару: 130964
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+366.92 грн
57+250.61 грн
100+179.97 грн
1000+154.05 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.48 грн
10+251.30 грн
100+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 41716 шт:
термін постачання 431-440 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.44 грн
500+165.01 грн
1000+156.76 грн
10000+142.07 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.68 грн
55+260.90 грн
100+184.15 грн
500+145.66 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.64 грн
3000+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]