Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.89 грн
10+241.19 грн
100+172.37 грн
500+134.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R090CFD7ATMA1Infineon TechnologiesPower Transistor MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.38 грн
10+300.09 грн
100+197.44 грн
500+185.01 грн
1000+172.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
10+324.87 грн
100+236.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+593.65 грн
36+402.29 грн
39+368.83 грн
100+238.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.65 грн
10+402.29 грн
25+368.83 грн
100+238.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+436.85 грн
43+332.37 грн
100+269.17 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.89 грн
10+333.91 грн
100+270.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.62 грн
10+265.12 грн
100+190.83 грн
500+149.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.97 грн
10+281.89 грн
100+202.96 грн
500+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+237.43 грн
500+225.62 грн
1000+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.86 грн
10+281.04 грн
100+176.04 грн
500+160.85 грн
1000+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.96 грн
500+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+245.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.85 грн
51+281.61 грн
100+244.76 грн
1000+235.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.25 грн
10+377.10 грн
100+265.09 грн
500+245.07 грн
1000+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+908.49 грн
25+866.56 грн
50+831.69 грн
100+773.71 грн
250+694.17 грн
500+648.15 грн
1000+632.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.73 грн
10+416.00 грн
100+292.70 грн
500+270.61 грн
1000+229.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAInfineonMOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.36 грн
10+404.88 грн
100+258.19 грн
500+246.45 грн
1000+229.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+411.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.13 грн
10+353.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
10+266.02 грн
100+261.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.81 грн
5+355.18 грн
10+290.75 грн
50+264.75 грн
100+239.55 грн
250+234.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+494.24 грн
38+376.11 грн
50+373.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+518.71 грн
41+351.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+410.75 грн
50+330.56 грн
100+258.19 грн
250+253.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.51 грн
10+403.99 грн
25+370.25 грн
100+328.23 грн
250+298.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.34 грн
10+349.54 грн
100+269.81 грн
500+241.56 грн
1000+208.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+465.51 грн
36+403.99 грн
39+370.25 грн
100+328.23 грн
250+298.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.53 грн
10+307.90 грн
100+237.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.17 грн
100+287.53 грн
500+234.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.56 грн
10+362.81 грн
100+237.48 грн
500+222.98 грн
1000+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+501.03 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+206.99 грн
100+157.86 грн
500+111.43 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.02 грн
10+215.94 грн
100+133.24 грн
500+114.60 грн
1000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.36 грн
64+224.91 грн
100+178.60 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+185.02 грн
100+136.00 грн
500+110.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.86 грн
500+111.43 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7Infineon TechnologiesInfineon HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.07 грн
10+257.57 грн
100+183.34 грн
500+142.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.60 грн
10+389.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.13 грн
10+249.28 грн
25+192.61 грн
100+163.61 грн
250+153.95 грн
500+136.00 грн
1000+127.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.27 грн
10+280.24 грн
25+225.74 грн
100+197.44 грн
250+186.39 грн
500+175.35 грн
1000+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 37950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+145.21 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.20 грн
10+201.40 грн
100+141.28 грн
500+108.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.09 грн
2000+122.82 грн
5000+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.88 грн
10+157.05 грн
100+125.64 грн
500+97.97 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.30 грн
2000+123.03 грн
5000+122.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.27 грн
75+191.36 грн
100+187.82 грн
2000+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.09 грн
500+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of package: reel
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.33 грн
10+204.82 грн
100+133.24 грн
500+111.14 грн
1000+103.55 грн
2000+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.34 грн
10+259.60 грн
100+158.78 грн
500+146.35 грн
1000+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6
Код товару: 207837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1
Код товару: 210840
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.80 грн
10+230.27 грн
100+164.76 грн
500+148.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesIPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.44 грн
10+292.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+219.07 грн
100+154.64 грн
500+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.35 грн
10+182.03 грн
100+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.64 грн
500+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.80 грн
10+193.71 грн
100+119.43 грн
500+109.07 грн
1000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]