Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGP7NB60KDFP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NB60MSTMicroelectronicsIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NB60MDSTMicroelectronicsIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HSTMIGBT N-CHAN 25A 600V TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220   STGP7NC60HD TSTGP7nc60hd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs IGBT
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP7NC60HD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMIGBT 600V 25A 80W TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
50+70.59 грн
100+63.24 грн
500+47.22 грн
1000+43.32 грн
2000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.92 грн
50+94.01 грн
100+82.92 грн
500+65.16 грн
1000+57.81 грн
2000+54.94 грн
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD
Код товару: 14726
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: <2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 25 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 14 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 80 Вт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.82 грн
151+93.89 грн
171+82.82 грн
500+65.08 грн
1000+57.74 грн
2000+54.88 грн
5000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+104.83 грн
5+95.61 грн
10+82.19 грн
25+69.61 грн
50+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8H60DF2STMicroelectronicsDescription: STGP8H60DF2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8H60DF2STMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8M120DF3STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.35 грн
11+74.08 грн
100+66.20 грн
500+50.46 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD
Код товару: 87249
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+49.56 грн
25+46.13 грн
50+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.73 грн
215+65.89 грн
500+52.09 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
50+50.48 грн
100+45.02 грн
500+33.25 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 6A N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsIGBT Transistors 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Power - Max: 714 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Part Status: Active
Gate Charge: 554 nC
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1595.85 грн
10+1104.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.30 грн
10+910.50 грн
100+874.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 288 nC
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.32 грн
30+464.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 30, Pmax, Вт = 259, Uce(on), В = 2,6, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 23, td(off), нс = 111,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+112.33 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 67 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+367.58 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+199.71 грн
3000+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+208.05 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+199.71 грн
3000+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMIGBT 1200V 15A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMSTGW15S120DF3 STGW15S120D IGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW18IH120DFSTMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Power - Max: 140 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDST42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+136.37 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
30+142.10 грн
120+116.37 грн
510+91.50 грн
1020+85.04 грн
2010+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 140W
Gate charge: 53nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Mounting: THT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.63 грн
3+217.21 грн
10+172.76 грн
30+161.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A 140W TO247
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors 19A 600V ULT FS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
30+115.13 грн
120+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.52 грн
10+317.13 грн
25+198.74 грн
50+189.73 грн
100+147.99 грн
250+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
10+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]