Продукція > stg

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.26 грн
50+49.91 грн
100+44.51 грн
500+32.87 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 6A N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsIGBT Transistors 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSB200M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Power - Max: 714 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Part Status: Active
Gate Charge: 554 nC
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1577.71 грн
10+1092.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1263.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1535.69 грн
5+1399.89 грн
10+1263.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH50M120DSTMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.27 грн
10+900.15 грн
100+864.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.03 грн
5+1295.42 грн
10+1248.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1248.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 288 nC
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.45 грн
30+459.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.51 грн
5+425.11 грн
10+335.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+162.92 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 30, Pmax, Вт = 259, Uce(on), В = 2,6, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 23, td(off), нс = 111,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.49 грн
30+135.46 грн
120+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+245.65 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2STMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 67 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+199.71 грн
3000+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+208.05 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+199.71 грн
3000+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+367.58 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMIGBT 1200V 15A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 15A TO247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15S120DF3 STGW15S120DSTMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW18IH120DFSTMIGBT 1200V 15A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Power - Max: 140 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.17 грн
10+137.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+136.37 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.62 грн
3+214.74 грн
10+170.80 грн
30+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.79 грн
30+140.49 грн
120+115.05 грн
510+90.46 грн
1020+84.07 грн
2010+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HDST42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A 140W TO247
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors 19A 600V ULT FS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 42A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.65 грн
30+111.26 грн
120+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.40 грн
10+121.34 грн
100+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT 650V 40A 168W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.94 грн
46+313.69 грн
72+196.59 грн
73+187.67 грн
100+146.39 грн
250+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.72 грн
10+140.63 грн
100+116.52 грн
500+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF
Код товару: 180888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.52 грн
10+317.13 грн
25+198.74 грн
50+189.73 грн
100+147.99 грн
250+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.87 грн
30+129.12 грн
120+105.46 грн
510+82.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.40 грн
10+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20N60V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HD
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HDSTMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMN- Channel, 20A, 600V, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 50A 170W TO247
Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+143.24 грн
1020+141.80 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
5+143.44 грн
10+135.15 грн
30+126.86 грн
60+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+144.22 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.31 грн
30+180.41 грн
120+148.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.48 грн
10+184.03 грн
100+158.31 грн
500+138.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMN-CHANNEL 30A - 600V 200W TO-247 (аналог IRG4PC40UD/50UD) Very Fast PowerMESH™ IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.08 грн
5+155.87 грн
10+145.92 грн
15+139.29 грн
30+128.51 грн
60+116.91 грн
90+112.76 грн
120+109.44 грн
150+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDST60A; 600V; 200W; IGBT   STGW20NC60VD STMicroelectronics TSTGW20nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD
Код товару: 33417
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,5 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 60 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 30 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 200 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 31/100
товару немає в наявності
1+130.00 грн
10+120.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.32 грн
30+145.26 грн
120+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.24 грн
10+153.49 грн
100+124.56 грн
500+108.20 грн
1000+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 200, Uceb, В = 600, Uge(th), В = 2,5 @ 15 В, 20 А, Тексп, °С = -55...+150, Eімп. = 220 мкДж (вкл), 330 мкДж (викл),... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Очікується: 1160 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]