Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFU220NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFAKLA1Infineon TechnologiesIRFU220NPBFAKLA1
на замовлення 336308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.45 грн
10+58.46 грн
500+43.29 грн
1000+36.94 грн
3000+27.23 грн
6000+27.09 грн
9000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.55 грн
10+98.38 грн
25+60.99 грн
100+52.39 грн
500+46.73 грн
1000+41.80 грн
3000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.26 грн
75+65.17 грн
150+58.59 грн
525+46.20 грн
1050+42.40 грн
2025+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.35 грн
13+63.54 грн
100+47.09 грн
500+36.23 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF (IR)
Код товару: 94411
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.50 грн
10+23.70 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220S2497Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220_R4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU221Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU222Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224IRTO-251
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224ATU
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224BTU
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224NSANSUNG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 250V 3.8A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+50.51 грн
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307Z
Код товару: 99519
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 75 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 16 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2190/50
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 42A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 53 A, 0.0128 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU230BTU
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.76 грн
500+80.78 грн
1000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU2405PBF - PLANAR 40 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.76 грн
500+80.78 грн
1000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+127.68 грн
100+86.59 грн
500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1Infineon TechnologiesIRFU2405PBFAKLA1
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+100.04 грн
500+90.04 грн
1000+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU2405PBFAKLA1 - IRFU2405PBF - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2405PBFAKLA1Infineon TechnologiesIRFU2405PBFAKLA1
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+100.04 грн
500+90.04 грн
1000+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2407Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU24N15D
на замовлення 7135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU24N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2607ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2607ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 850mA,10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 102695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUON SemiconductorIRFU310BTU
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Rds = 2,7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 30 В,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 70 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUON SemiconductorIRFU310BTU
на замовлення 58325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU310BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2671+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 2671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310BTUON SemiconductorIRFU310BTU
на замовлення 37700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+58.08 грн
267+53.18 грн
600+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 1.7 Amp
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.41 грн
10+97.97 грн
100+57.26 грн
500+45.67 грн
1000+41.13 грн
3000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.12 грн
10+81.47 грн
100+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=1.7A@T=25C, Id=1.1A@T=100C, Rds=3.6 R, P=25W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.93 грн
10+42.11 грн
75+31.60 грн
150+28.91 грн
600+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF
Код товару: 32370
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 400 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 3,6 Ом @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310TUSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320
Код товару: 3361
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU320PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.82 грн
10+67.69 грн
100+49.30 грн
500+43.22 грн
1000+38.82 грн
3000+36.24 грн
6000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.28 грн
11+41.94 грн
25+40.18 грн
75+37.66 грн
150+35.72 грн
300+34.21 грн
525+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
75+66.81 грн
150+60.06 грн
525+47.36 грн
1050+43.45 грн
2025+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.72 грн
14+62.48 грн
100+49.45 грн
500+45.61 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF(транзистор)
Код товару: 71845
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
898+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 898 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU32DIORTO220/
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU330BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU330BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.34 грн
75+49.75 грн
150+43.06 грн
525+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.22 грн
347+40.91 грн
500+37.22 грн
1000+32.62 грн
3000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU3410PBF - IRFU3410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 73723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
604+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 52852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.96 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.44 грн
18+42.87 грн
100+40.57 грн
500+35.59 грн
1000+29.95 грн
3000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.96 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+54.36 грн
100+42.52 грн
500+35.54 грн
1000+31.14 грн
3000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.96 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.96 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.65 грн
213+66.62 грн
240+59.19 грн
254+53.99 грн
500+47.78 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]