Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU120_R4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU121TU
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DIR07+
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU12N25DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 14A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU130ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATU
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU130ATUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DIR05+
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N15DPBFInternational RectifierSMPS MOSFET, 150V, 14A, 0,18 Ohm, I-Pak (TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU15N20D
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU15N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU18N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1920Harris CorporationDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60ASiliconixTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+95.77 грн
75+67.86 грн
150+57.28 грн
525+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210
Код товару: 77782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210B
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 2.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVISHAY
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
75+62.02 грн
150+55.69 грн
525+43.81 грн
1050+40.15 грн
2025+37.22 грн
5025+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210TU
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214BTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 250V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214TU
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Harris CorporationDescription: 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220Bonsemi BF 200V 800MOHM IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220B
Код товару: 185591
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 2,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
  • 43 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUFairchild SemiconductorDescription: IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+90.88 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUON SemiconductorIRFU220BTU
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+112.19 грн
1000+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU220BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5040+33.86 грн
10080+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU-AM002onsemi / FairchildMOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220BTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInternational RectifierN-MOSFET 5A 200V 43W IRFU220N TIRFU220n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.96 грн
295+47.89 грн
356+39.70 грн
500+34.66 грн
1000+29.99 грн
2000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBFAKLA1International Rectifier HiRel ProductsIRFU220NPBFAKLA1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+55.63 грн
1000+51.30 грн
10000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
75+65.63 грн
150+59.00 грн
525+46.53 грн
1050+42.71 грн
2025+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.08 грн
10+97.95 грн
25+60.72 грн
100+52.15 грн
500+46.52 грн
1000+41.61 грн
3000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF (IR)
Код товару: 94411
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.50 грн
10+23.70 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220S2497Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220_R4941onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU221Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU222Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224IRTO-251
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224ATU
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224BTU
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224NSANSUNG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 250V 3.8A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307Z
Код товару: 99519
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 16 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2190/50
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 42A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU2307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 53 A, 0.0128 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]