Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU320PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 572 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU320PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU320PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU320PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp | на замовлення 3688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU320PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU320PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU320PBF(транзистор) Код товару: 71845
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU321 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU322 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU32D | IOR | TO220/ | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3303 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3303 | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3303PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU330BTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU330BTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1233 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 10018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU3410PBF - IRFU3410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 73723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 604 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 52852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 9614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3412 | IR | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3412PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 48A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3418PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6525 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3504PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3504Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3504ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3518 Код товару: 52680
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3518-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3518PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3518TRL-701 | IR | 05+ | на замовлення 8485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607 | International Rectifier | N-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm | на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори | на замовлення 490 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2464 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607PBF Код товару: 191828
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 126 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3607TRL701P | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3607TRL701P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 75V 56A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3704 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3704 | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFU3704PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3704ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3706 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3706-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3706PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3706TRL-701 | IR | 06+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3707 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3707PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3707Z | IR | 04+ | на замовлення 51600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3707ZPBF Код товару: 103006
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3707ZPBF | IR | на замовлення 18075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFU3707ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3707ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3708 | на замовлення 1222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFU3708 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3708PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709 | IR | DIP | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709Z | IR | 04+ | на замовлення 42675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709Z-701P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709Z-701P | IR | 05+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3709ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710Z Код товару: 99520
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: I-Pak Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 42 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2930/69 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFU3710Z-701 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710Z-701HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710Z-701P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710Z-701P | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710ZHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3710ZTRL701 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3711 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3711 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3711 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFU3711PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3711ZPBF | IR | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3711ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3910 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU3910 | International Rectifier | N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

