Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU3704PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3704ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3706TRL-701IR06+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZIR04+
на замовлення 51600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFIR
на замовлення 18075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3707ZPBF
Код товару: 103006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3708PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709IRDIP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZIR04+
на замовлення 42675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709Z-701PIR05+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3709ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z
Код товару: 99520
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2930/69
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3710ZTRL701Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3711ZPBFIR07+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910International RectifierN-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.47 грн
75+50.76 грн
150+45.43 грн
525+35.51 грн
1050+32.42 грн
2025+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF
Код товару: 77965
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251AA
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,115 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/44
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.52 грн
276+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.64 грн
358+39.51 грн
500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.76 грн
15+52.08 грн
100+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.20 грн
150+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3911PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4101TRL-701IR05+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104IR04+
на замовлення 19425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104
Код товару: 99521
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZInternational RectifierN-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF
Код товару: 43658
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4105ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU410BTU
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 80640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUFAIRCHILDTO-251
на замовлення 26262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420BTUONS/FAII-PAK (TO251) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.73 грн
32+23.53 грн
75+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
9+49.10 грн
10+44.10 грн
25+39.02 грн
75+34.20 грн
150+32.34 грн
300+31.24 грн
525+30.22 грн
1050+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.17 грн
241+58.74 грн
300+56.77 грн
525+52.96 грн
1050+47.39 грн
2025+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.23 грн
75+69.67 грн
150+62.80 грн
525+49.77 грн
1050+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
на замовлення 9623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]