Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU48ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305 | International Rectifier | P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF Код товару: 26942
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 21874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1301 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 9002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Mounting: THT Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -55V Type of transistor: P-MOSFET Case: IPAK | на замовлення 690 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC | на замовлення 7281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | International Rectifier | P-кан. MOSFET 55V, 31A, 0.065Ом, 110Вт, I-PAK TO-251AA/TO-251-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU540ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 268395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC | на замовлення 4319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 11312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 66W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 18059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier | Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO | на замовлення 518124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF Код товару: 124333
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 12225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 102900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 525 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505 | International Rectifier | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFU5505; IRFU5505 TIRFU5505 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU5505PBF - IRFU5505 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 698 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF Код товару: 67411
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 8787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | International Rectifier | IPAK=TO-251 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU6215 | International Rectifier | P-MOSFET 13A 150V 110W P-MOSFET 13A 150V 110W IRFU6215 TIRFU6215 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU6215 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 375 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215 | International Rectifier | MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC | на замовлення 2549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFU6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU6215PBF Код товару: 101060
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU6215PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7440 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU7440 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU7440 INFINEON TIRFU7440 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 16591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7440PBF - IRFU7440 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 394 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 4123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 4089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) | на замовлення 36918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 70363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | International Rectifier | Description: IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V | на замовлення 108371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 11382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 14600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A IPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | Infineon | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU7546 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7546PBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7546PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7546PBF - IRFU7546 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 602 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7740PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7740PBF - IRFU7740PBF - TRENCH 40 100V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 377 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7740PBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7746PBF | International Rectifier | Description: TRENCH 40<-<100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU7746PBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU7833-701 | IR | 05+ | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010 | на замовлення 6400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFU9010 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9010PBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010PBF | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFU9010PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Chan 50V 5.3 Amp | на замовлення 5966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9010PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU9014 | Vishay | P-MOSFET 5.1A 60V 2.5W IRFU9014 TIRFU9014 кількість в упаковці: 15 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU9014 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFU9014PBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9014 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9014N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9014PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9014PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU9014PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFU9014PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp | на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

