Продукція > SI5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI5415AEDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V 9.6mOhm@-4.5V -25A P-CH
на замовлення 7099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V 9.8mOhm@4.5V -25A P-Ch G-III
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.34 грн
100+51.33 грн
500+38.13 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 18490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.75 грн
500+19.63 грн
1000+16.19 грн
5000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.99 грн
43+17.72 грн
44+17.44 грн
100+16.55 грн
250+15.08 грн
500+14.23 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 26486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.61 грн
100+24.40 грн
500+17.56 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3
Код товару: 133313
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.24 грн
28+29.65 грн
100+24.75 грн
500+19.63 грн
1000+16.19 грн
5000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
6000+13.37 грн
9000+12.77 грн
15000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.44 грн
825+17.16 грн
838+16.89 грн
852+16.01 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI542SIEMENS01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-E3
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 25V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6.0A 6.3W 20mohm @ 4.5V
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433DC
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433DC-T1
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433DC-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435DCVISHAY09+
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si5435DC
Код товару: 38005
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435DC-T1VISHAY04+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435DC-T1-E3VISHY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5437DV-T1-E3
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI544SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5440DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5440DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5418DU-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5440DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDCVISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.58 грн
6000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V
на замовлення 13056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DCVISHAY
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1 SOT183-A34VISHAY
на замовлення 54200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1 SOT183-A34VISHAY
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1/BAFBU
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DC-T1SOT183-A34VISHAY
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441DCOT10E3
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
6000+15.32 грн
9000+14.65 грн
15000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.34 грн
32+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+20.66 грн
696+20.33 грн
707+20.01 грн
719+18.98 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 19599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.24 грн
100+27.57 грн
500+19.94 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DCVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si5443dc-71
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DC-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.9A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5443DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.44 грн
50+15.19 грн
51+14.41 грн
100+13.12 грн
250+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-E3
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445DC-T1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5445DC-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5446DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds PowerPAK ChipFET -/+8V Vgs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]