Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 15277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+74.60 грн
100+42.94 грн
500+33.73 грн
1000+28.84 грн
2000+26.12 грн
5000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+55.24 грн
260+54.70 грн
342+41.49 грн
500+37.24 грн
1000+31.33 грн
2000+27.60 грн
5000+23.50 грн
10000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.19 грн
250+61.62 грн
500+59.39 грн
1000+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 49352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.57 грн
20+41.22 грн
100+36.58 грн
500+24.36 грн
1000+20.39 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.60 грн
2000+31.74 грн
5000+28.15 грн
10000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFIRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.19 грн
50+49.03 грн
100+43.56 грн
500+31.85 грн
1000+28.94 грн
2000+26.50 грн
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.94 грн
276+51.43 грн
354+40.06 грн
500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.30 грн
50+54.75 грн
100+41.54 грн
500+37.29 грн
1000+31.37 грн
2000+27.63 грн
5000+23.53 грн
10000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 29A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+26.56 грн
50+25.05 грн
100+23.37 грн
500+20.26 грн
1000+19.50 грн
1250+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
  • 39 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+101.83 грн
50+75.52 грн
100+64.90 грн
250+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.08 грн
161+88.09 грн
203+70.11 грн
250+65.82 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.47 грн
1600+56.90 грн
2400+56.33 грн
4000+53.76 грн
5600+49.28 грн
8000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.59 грн
10+110.82 грн
100+64.87 грн
500+53.00 грн
800+47.41 грн
2400+44.41 грн
4800+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.49 грн
500+80.54 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.41 грн
10+49.09 грн
50+45.30 грн
100+43.71 грн
250+41.86 грн
500+39.42 грн
800+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.60 грн
10+89.08 грн
25+88.09 грн
100+67.61 грн
250+60.94 грн
500+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.90 грн
250+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.33 грн
121+117.25 грн
209+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.53 грн
1600+56.96 грн
2400+56.39 грн
4000+53.83 грн
5600+49.34 грн
8000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 19079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.57 грн
10+75.64 грн
1000+55.86 грн
10000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.00 грн
10+106.72 грн
100+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+74.04 грн
100+56.63 грн
250+55.93 грн
500+55.51 грн
1000+55.44 грн
5000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+107.60 грн
100+64.87 грн
250+64.80 грн
500+53.35 грн
1000+50.62 грн
2000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34VSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34VSPBFIR09+ TO264
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 50 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.59 грн
100+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF
Код товару: 150975
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.16 грн
50+122.18 грн
100+110.48 грн
500+84.45 грн
1000+78.27 грн
2000+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.03 грн
10+116.44 грн
100+87.28 грн
500+78.91 грн
1000+72.62 грн
2000+67.87 грн
5000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.55 грн
10+113.24 грн
100+97.76 грн
500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.69 грн
10+141.33 грн
100+92.17 грн
500+76.81 грн
1000+69.06 грн
2000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRFZ44 VISHAY TIRFZ44
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44A
Код товару: 123232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44AFAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EInternational RectifierN-MOSFET 48A 60V 110W IRFZ44E TIRFZ44e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ELIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF
Код товару: 66761
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBF
Код товару: 47701
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+98.77 грн
100+62.43 грн
800+47.13 грн
2400+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.59 грн
500+89.63 грн
1000+82.67 грн
10000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.68 грн
10+99.39 грн
100+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.59 грн
500+89.63 грн
1000+82.67 грн
10000+71.07 грн
100000+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]