Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRGS14C40L | Infineon / IR | IGBT Transistors AUTO D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS14C40LTRL | Infineon / IR | IGBT Transistors AUTO D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS14C40LTRR | Infineon / IR | IGBT Transistors AUTO D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60K | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 600V 78A D2PAK Packaging: Tube Power - Max: 370 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 102 nC Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60K | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60K-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60KTRL | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60KTRL | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 600V 78A D2PAK IGBT Type: NPT Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 370 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Gate Charge: 102 nC Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS30B60KTRR | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4056D | Infineon / IR | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D | Infineon / IR | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 59A D2PAK Power - Max: 246 W Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 77 nC Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D1 | Infineon Technologies | IGBTs Automotive 600V Ultra IGBT D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D1TRL | Infineon / IR | IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D1TRL | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 59A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 246 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGS4062D1TRR | Infineon / IR | IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGSL30B60K | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 600V 78A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 370 W | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRGSL30B60K | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGSL30B60K | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 600V 78A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 370 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGSL30B60K-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 370 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGSL4062D1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGSL4062D1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Technology: Trench Gate charge: 77nC Turn-on time: 35ns Turn-off time: 176ns Power dissipation: 123W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 72A Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRGSL4062D1 | International Rectifier | Description: IGBT TRENCH 600V 59A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 246 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRGSL4062D1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Bulk | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRGU4045D | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: IPAK IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 19.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 77 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRGU4045D | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404S | International Rectifier | Description: PFET, 160A I(D), 40V, 0.004OHM, Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404S | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404S | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL1404S - AUIRL1404 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404STRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404STRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404STRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404ZS | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | Description: AUIRL1404ZS - 20V-40V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZS | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL1404ZS - AUIRL1404ZS 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL1404ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZSTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL1404ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL2203N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL2203N | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 100A 7 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL2203N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705N | Infineon Technologies | Description: AUIRL3705 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705N | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705N | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705N | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705N | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 10mOhms | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705Z | Infineon Technologies | MOSFET 55V, 86A, 12mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705ZL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705ZL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZS | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705ZS | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL3705ZSTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL3705ZSTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL7732S2TR - AUIRL7732S2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 21208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 58A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 41W Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR1 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL7736M2TR - AUIRL7736M2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Packaging: Bulk | на замовлення 13183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 112A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 63W Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET M4 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRL7766M2TR | Infineon / IR | MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N- CH HEXFET | на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRL7766M2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5305 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLB3034 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLB3036 | Infineon / IR | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLI2505 | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 58A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL014N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL014N | Infineon Technologies | MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL014NTR | Infineon / IR | MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL014NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR | Infineon / IR | MOSFET 55V Logic Level 3.1A 65 mOhm Auto MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR | Infineon | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRLL024NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|