Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.95 грн
9000+12.75 грн
18000+11.86 грн
27000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7D36-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.028 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.12 грн
20+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.20 грн
6000+48.71 грн
9000+48.22 грн
12000+46.02 грн
15000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaMOSFETs BUK7D36-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 12867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
13+24.77 грн
100+14.70 грн
500+11.46 грн
1000+9.80 грн
3000+8.49 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.38 грн
50+23.59 грн
100+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.26 грн
6000+48.77 грн
9000+48.29 грн
12000+46.08 грн
15000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 76mΩ
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: DFN6; SOT1220
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7D36-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.028 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+11.85 грн
9000+11.27 грн
15000+10.60 грн
21000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E04-40A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E0440A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E11-55B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E11-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1155B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+87.39 грн
500+78.65 грн
1000+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E13-60E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E1R8-40E,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E1R8-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 30226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 24572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E2R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.32 грн
500+255.15 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E3R1-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 40V, 0.0031OHM,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E3R5-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 25177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+119.85 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 192A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E4R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+179.77 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E5R2-100E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+106.18 грн
500+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP USA Inc.Description: 75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+106.18 грн
500+95.57 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E8R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E8R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+106.18 грн
500+95.57 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+106.18 грн
500+95.57 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7J1R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 220 A, 850 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-1023
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.75 грн
10+204.02 грн
100+144.84 грн
500+126.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+118.46 грн
3000+117.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.93 грн
261+54.38 грн
272+52.15 грн
275+49.78 грн
500+45.63 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+117.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+117.79 грн
9000+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+194.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 395W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
10+172.61 грн
100+121.50 грн
500+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 190A
на замовлення 20823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+122.26 грн
100+73.18 грн
500+59.16 грн
1000+57.23 грн
1500+54.26 грн
3000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.38 грн
100+50.28 грн
250+46.09 грн
500+43.80 грн
1000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+117.79 грн
9000+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]