Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK7D36-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
9000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.09 грн
6000+48.61 грн
9000+48.12 грн
12000+45.92 грн
15000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaMOSFETs BUK7D36-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 12867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7D36-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.028 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E04-40A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E0440A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E11-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E11-55B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1155B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E13-60E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E13-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+87.20 грн
500+78.48 грн
1000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+96.99 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 30226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E1R8-40E,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R8-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E1R8-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 24572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E2R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.90 грн
1000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R3-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+109.64 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R7-30B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+268.73 грн
500+254.58 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E3R1-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R1-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 40V, 0.0031OHM,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 25177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 785A
Power dissipation: 293W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: I2PAK; SOT226
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E3R5-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E3R5-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 192A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E4R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E4R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E5R2-100E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+181.43 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E5R2-100E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+105.94 грн
500+95.36 грн
1000+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E8R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+105.94 грн
500+95.36 грн
1000+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+105.94 грн
500+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+105.94 грн
500+95.36 грн
1000+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E8R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E8R3-40E,127NXP USA Inc.Description: 75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
10+205.91 грн
100+146.18 грн
500+128.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7J1R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 220 A, 850 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-1023
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+118.19 грн
3000+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+119.42 грн
3000+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.81 грн
25+54.26 грн
100+50.16 грн
250+45.98 грн
500+43.71 грн
1000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
10+174.20 грн
100+122.62 грн
500+103.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.81 грн
261+54.26 грн
272+52.02 грн
275+49.66 грн
500+45.53 грн
1000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaMOSFETs BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 20298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+117.53 грн
9000+113.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+194.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J2R4-80MXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7J2R4-80MXNexperia USA Inc.Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.47 грн
50+123.39 грн
100+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]