Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS032GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5430.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6406.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 32GB SLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41417.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0343SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0343SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0346Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0348ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0348 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0348Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0349ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0349 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0349Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V
на замовлення 259928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0352S - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0355S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 14916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+166.03 грн
100+116.00 грн
500+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08Bonsemi / FairchildMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZSONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS038ZS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZSFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.79 грн
93+153.30 грн
95+150.45 грн
118+116.62 грн
250+106.90 грн
500+94.50 грн
1000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08Bonsemi / FairchildMOSFETs FPS
на замовлення 8664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.79 грн
10+153.30 грн
25+150.45 грн
100+116.62 грн
250+106.90 грн
500+94.50 грн
1000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.27 грн
50+114.81 грн
100+97.33 грн
500+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV SD 64GB 3D TLC (-25C-85C)
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3315.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2430.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 64GB 3D TLC GOLD GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2685.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 64GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9131.66 грн
10+8102.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6102.79 грн
10+5419.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 64GB MLC COMMERCIAL GRAD
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6425.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7655.28 грн
10+6794.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9008.17 грн
10+8023.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 64GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8737.90 грн
10+7772.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8431.91 грн
10+7490.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 64GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7207.16 грн
10+6397.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Box
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5532.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Packaging: Box
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5532.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11349.72 грн
10+10205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10572.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2NonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.61 грн
10+167.30 грн
100+117.02 грн
500+89.68 грн
1000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2Nonsemi / FairchildMOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2NonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV SD 128GB 3D TLC (-25C-85C)
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3882.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBC-5700FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS128GBC-5700 - SD-Karte, Fx Premium, 3D-TLC, 128GB, -25°C bis 85°C, 3.3V
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: V30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 128GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Flash-Speicherkarte: SD Express-Karte
UHS-Standard: UHS-I U3
Produktpalette: Fx Premium Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: TLC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5573.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB TLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4317.31 грн
10+3838.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS128GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 128 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 128GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS128GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 128 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 128GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 128GB 3D PSLC DIAMON
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17474.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16335.71 грн
10+14476.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 128GB MLC COMMERCIAL GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16001.76 грн
10+14180.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16001.76 грн
10+14180.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 128GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18562.32 грн
10+17603.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 128GB MLC DIAMOND GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12917.75 грн
10+11453.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 128GB MLC DIAMOND GRAD
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18215.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 128GB MLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7778.76 грн
10+6903.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 128GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17705.69 грн
10+15687.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB MLC
Packaging: Box
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12568.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB MLC
Packaging: Box
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12568.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 128GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24088.07 грн
10+21327.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS128GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 128GB PSLC GOLD GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 128GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22471.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDonsemiMOSFET PT11N 30/12 & PT11
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.32 грн
10+134.34 грн
25+131.89 грн
100+117.29 грн
250+102.60 грн
500+95.98 грн
1000+92.14 грн
3000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSDonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D4N03SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 38A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D4N03SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D5N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D5N03ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D5N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D5N03ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2380onsemi / FairchildGate Drivers Dual Integ Solenoid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2380Fairchild SemiconductorDescription: HALF BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-PowerQFN
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 26V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-Power QFN (12x8)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Obsolete
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1423.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2380onsemiDescription: IC PWR DRIVER 1:1 18PWRQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-PowerQFN
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 160°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 26V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-Power QFN (12x8)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2504SDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS2504SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2504SDCFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 13 V
на замовлення 7247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2506SDCFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2506SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.