Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS030N06BonsemiMOSFETs NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+192.12 грн
100+133.24 грн
500+121.50 грн
1000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.69 грн
500+131.62 грн
1000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+47.63 грн
100+29.48 грн
500+24.44 грн
1000+21.81 грн
3000+18.98 грн
6000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.90 грн
6000+32.63 грн
9000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+52.65 грн
100+36.50 грн
500+29.68 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+35.65 грн
100+21.75 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.24 грн
6000+23.46 грн
9000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 30V/20V NCH ERTR EN
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
10+37.00 грн
100+22.23 грн
500+19.40 грн
1000+17.60 грн
3000+13.12 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 331818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.96 грн
100+27.46 грн
500+19.89 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.14 грн
100+25.13 грн
500+19.33 грн
1000+14.29 грн
3000+13.60 грн
6000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
6000+15.31 грн
9000+14.65 грн
15000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+40.81 грн
100+24.30 грн
500+19.47 грн
1000+17.60 грн
3000+14.50 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1229+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.54 грн
500+19.95 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SFAIRCHILDQFN
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032G-CA0FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2336.46 грн
5+2152.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC DIAMOND
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3456.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC GOLD GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2503.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3711.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3717.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4307.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCG-3201FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GCG-3201 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4646.34 грн
5+4469.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3807.06 грн
10+3385.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC COMMERCIAL GRAD
Part Status: Active
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4307.21 грн
10+3828.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMC-XE00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6047.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB MLC DIAMOND GR
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4805.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7254.53 грн
10+6439.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5139.76 грн
10+4566.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4307.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB MLC GOLD GRADE
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3418.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Technology: MLC
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8897.11 грн
10+7895.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3647.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 32GB MLC GOLD GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3647.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6765.25 грн
10+6006.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6446.06 грн
10+5723.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS032GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB SLC DIAMOND GR
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39309.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0343SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0343SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0346Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0348ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0348 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1686+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0348Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0349Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0349ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0349 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1885+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 1885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0352S - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0352SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V
на замовлення 259928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0355S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BONN
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 15898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
10+135.81 грн
100+98.51 грн
500+79.79 грн
1000+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08Bonsemi / FairchildMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.27 грн
10+134.17 грн
100+84.91 грн
500+82.15 грн
1000+74.56 грн
3000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BonsemiMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.53 грн
10+165.92 грн
100+104.93 грн
500+87.67 грн
1000+82.15 грн
3000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZSONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS038ZS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZSFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.79 грн
93+153.30 грн
95+150.45 грн
118+116.62 грн
250+106.90 грн
500+94.50 грн
1000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 7191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+125.87 грн
100+95.27 грн
500+74.99 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.79 грн
10+153.30 грн
25+150.45 грн
100+116.62 грн
250+106.90 грн
500+94.50 грн
1000+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08Bonsemi / FairchildMOSFETs FPS
на замовлення 8664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+82.56 грн
100+67.65 грн
500+67.10 грн
1000+65.93 грн
3000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV SD 64GB 3D TLC (-25C-85C)
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3315.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB TLC
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2380.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 64GB 3D TLC GOLD GRA
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2685.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4631.04 грн
5+4051.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3376.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 64GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9131.66 грн
10+8102.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS064GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 64GB PSLC
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7725.17 грн
10+6857.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]