Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C628NT1G | onsemi | MOSFET T6 60V SG | на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C628NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP Reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C628NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NL | onsemi | MOSFETs T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 194 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SO8FL | на замовлення 12857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NLT3G | onsemi | MOSFET T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | onsemi | Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | onsemi | Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C645NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH | на замовлення 7581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 5668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C646NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NL | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 88636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 61W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 88500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 68A, 6.7mohm Power MOSFET 60 V, 6.7 m?, 68 A, Single N-Channel | на замовлення 60097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 61W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G транзистор Код товару: 196929
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | On Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 12743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 68A, 6.7mohm Power MOSFET 60 V, 6.7 m?, 68 A, Single N-Channel | на замовлення 10838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | на замовлення 4982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NT1G | onsemi | MOSFET T6 60V SG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C670NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NL | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 40303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT1G | ONN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NLT3G | onsemi | MOSFET TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SG | на замовлення 9941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C673NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 30 V | на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C677NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V S08FL SINGLE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C677NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C677NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C677NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V S08FL SINGLE | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | On Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V | на замовлення 3119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C682NLT1G | onsemi | MOSFET TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 42211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

