Продукція > SI5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI5486DU-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5486DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5486DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5499DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5499DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI54C-03200----Держатель NanoSim карты типа c откидной металлической крышкой Аксесуари для GSM модемів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI54C-03200Утримувач NanoSim карти з відкидною металевою кришкою. HOLDER
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
13+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI550SILICON
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.25 грн
500+36.04 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.80 грн
100+45.82 грн
500+33.75 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI55
на замовлення 108243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.41 грн
13+62.28 грн
100+47.25 грн
500+36.04 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.86 грн
6000+26.73 грн
9000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI55
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.80 грн
100+45.82 грн
500+33.75 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DCVISHAY
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1VISHAY03+ 1206-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1-E3VISHAYSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1-E3(P/B)VISHAY06PB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504DC-TISI02+ SOT-323-6
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5505AVC-X
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508A-B13214-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508A-B13915-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508A-B14017-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:18
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Clock Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508A-B14017-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:18
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Clock Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508C-B13215-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508C-B14941-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5508C-B15717-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: SI5508C-B15717-GMR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5509DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Power - Max: 4.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5509DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5509DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5510A-B13213-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:18
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5510A-B13213-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:18
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5510A-B13916-GMSkyworks SolutionsSI5510A-B13916-GM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5511DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B14795-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B14795-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15606-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:12
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Clock Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15606-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC
PLL: Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Ratio - Input:Output: 6:12
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Input: CMOS
Type: Clock Jitter Attenuator
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15655-GMSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15655-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15655-GMRSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512B-B15655-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512C-B15420-GMSkyworks SolutionsSI5512C-B15420-GM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15669-GMSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15669-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15669-GMRSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15669-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15675-GMSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15675-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15675-GMRSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15675-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15676-GMSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15676-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15676-GMRSkyworks Solutions, Inc.Clock Synthesizer/Jitter Cleaner
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5512D-B15676-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Jitter Attenuator
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:12
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.31 грн
100+24.21 грн
500+17.42 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.61 грн
100+24.40 грн
500+17.56 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.85 грн
20+40.42 грн
100+27.40 грн
500+19.55 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1VISHAY
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513DVC-T1SIN A
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.24 грн
10+51.64 грн
100+34.00 грн
500+24.79 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.99 грн
16+53.44 грн
100+38.49 грн
500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 46967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+52.01 грн
100+34.28 грн
500+24.99 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 31767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.85 грн
6000+19.47 грн
9000+18.66 грн
15000+16.67 грн
21000+16.17 грн
30000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.58 грн
13+58.54 грн
25+56.09 грн
100+41.96 грн
250+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515DC
Код товару: 170542
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515DC-T1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515DC-T1-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]