Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44SPBF транзистор Код товару: 200070
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRL | IR | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44STRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRR | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFZ44STRRPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRR | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44STRR Код товару: 15211
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 49 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44STRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44V | International Rectifier | N-MOSFET 57A 60V 92W IRFZ44V TIRFZ44v кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF Код товару: 35444
4
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 55 A Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67 Монтаж: THT | у наявності: 83 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VPDF | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ44VS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VSTRLPBF | IR | на замовлення 30400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44VSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VSTRRPBF | IR | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44VZ | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44VZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | International Rectifier | TO-263-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFZ44VZSPBF | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC | на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF Код товару: 203092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44VZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44Z | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | International Rectifier | Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ44ZLPBF - IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon | на замовлення 184000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZP | IR | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF Код товару: 40288
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 0,0139 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29 Монтаж: THT | у наявності: 81 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg | на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZS Код товару: 99523
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29 Монтаж: SMD | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFZ44ZSTRRPBF | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFZ44ZSTRRPBF | на замовлення 5790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ45 | IR | 09+ SOP-6 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46 Код товару: 24066
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFZ46L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46N | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46N | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 55V, 46A, 16.5 mOhm, 48 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ46NLPBF - IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 445 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF Код товару: 48533
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Idd,A: 53 A Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72 Монтаж: THT | у наявності: 69 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=53A@T=25C, Id=37A@T=100C, Rds=16.5 mOhm(typ), P=107W, -55 to +175C), Pb-free.... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFZ46NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |

