Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223 224 225  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFZ44VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF
Код товару: 35444
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 55 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0165 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPDF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSTRLPBFIR
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VSTRRPBFIR
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A TO262
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.35 грн
75+188.63 грн
135+105.03 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFInfineon TechnologiesDescription: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+119.68 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.05 грн
10+190.17 грн
100+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44VZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.21 грн
76+186.84 грн
100+141.46 грн
500+130.77 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInternational RectifierTO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBF
Код товару: 203092
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 43564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
10000+125.87 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.21 грн
10+186.84 грн
100+141.46 грн
500+130.77 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInternational RectifierDescription: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
10000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ44ZLPBF - IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.32 грн
50+106.14 грн
100+95.71 грн
500+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPIR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.24 грн
10+79.74 грн
25+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF
Код товару: 40288
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 51 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0139 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1420/29
Монтаж: THT
у наявності: 74 шт
  • 30 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+24.30 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+58.38 грн
1000+53.84 грн
10000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZS
Код товару: 99523
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 51 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1420/29
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+31.00 грн
10+26.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFZ44ZSTRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFZ44ZSTRRPBF
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ45IR09+ SOP-6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46Vishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46
Код товару: 24066
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/65
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 46A, 16.5 mOhm, 48 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.99 грн
6+78.73 грн
10+65.18 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ46NLPBF - IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.53 грн
406+34.80 грн
421+33.58 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInternational Rectifier(TO-220AB) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.10 грн
10+62.64 грн
25+53.84 грн
50+48.08 грн
100+43.09 грн
250+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.90 грн
10+81.65 грн
50+63.18 грн
100+54.71 грн
500+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF
Код товару: 48533
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 53 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,020 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
  • 58 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+26.00 грн
10+24.50 грн
100+21.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=53A@T=25C, Id=37A@T=100C, Rds=16.5 mOhm(typ), P=107W, -55 to +175C), Pb-free.... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.64 грн
10+63.01 грн
50+46.87 грн
100+39.09 грн
500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.52 грн
20+38.02 грн
50+35.26 грн
100+32.80 грн
500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+117.94 грн
175+80.99 грн
226+62.67 грн
251+54.28 грн
500+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF/IRIR08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223 224 225  Наступна Сторінка >> ]