Продукція > IPD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.50 грн
5000+	29.72 грн
10000+	27.67 грн
12500+	26.66 грн
25000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 760 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2

на замовлення 2516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 760 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 760 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CE

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CE

Infineon Technologies

Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEATMA1

Infineon

MOSFET N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 5199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.81 грн
10+	44.05 грн
100+	30.51 грн
500+	23.92 грн
1000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEAUMA1

INFINEON

на замовлення 2303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEBTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 500V 5A DPAK-2

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R800CEBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CE

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEATMA1

Infineon

MOSFET N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 1214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.04 грн
10+	34.03 грн
100+	23.31 грн
500+	16.78 грн
1000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD50R950CEBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	108.23 грн
138+	103.39 грн
250+	99.24 грн
500+	92.25 грн
1000+	82.63 грн
2500+	76.97 грн

Мінімальне замовлення: 131 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 150V 21A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	78.67 грн
183+	77.85 грн
228+	62.37 грн
230+	59.69 грн
500+	54.53 грн
1000+	52.24 грн
2000+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 181 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	73.61 грн
250+	70.66 грн

Мінімальне замовлення: 193 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1
Код товару: 182945

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 6449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.91 грн
10+	83.09 грн
50+	62.60 грн
100+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 44 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	94.52 грн
152+	93.56 грн
192+	74.17 грн
250+	70.80 грн
500+	53.41 грн
1000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 150 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.20 грн
10+	94.52 грн
25+	93.56 грн
100+	71.52 грн
250+	65.56 грн
500+	51.27 грн
1000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MV POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD5N03LAG

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD5N03LAG

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD5N25S3-430

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 250V 5A DPAK-2

на замовлення 4086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD5N25S3430ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD5N25S3430ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.89 грн
5000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD5N25S3430ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD5N25S3430ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.46 грн
10+	84.58 грн
100+	57.11 грн
500+	42.55 грн
1000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	291.26 грн
51+	280.16 грн
100+	270.66 грн
250+	253.07 грн
500+	227.96 грн
1000+	213.48 грн
2500+	208.77 грн

Мінімальне замовлення: 49 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3 G

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC

на замовлення 1107 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

22+	211.19 грн
30+	163.70 грн
50+	157.88 грн
100+	152.90 грн
300+	134.62 грн
500+	133.79 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	291.26 грн
51+	280.16 грн
100+	270.66 грн

Мінімальне замовлення: 49 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.55 грн
10+	142.32 грн
50+	109.32 грн
100+	92.63 грн
500+	75.14 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	212.62 грн
77+	184.28 грн
100+	160.65 грн
2000+	140.10 грн

Мінімальне замовлення: 67 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	259.04 грн
68+	209.65 грн
100+	196.40 грн
500+	167.31 грн
1000+	145.23 грн
2000+	135.29 грн
5000+	130.13 грн

Мінімальне замовлення: 55 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.47 грн
10+	203.43 грн
100+	147.45 грн
500+	122.62 грн
1000+	109.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	132.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	70.20 грн
7500+	63.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	107.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	312.47 грн
70+	203.43 грн
100+	147.45 грн
500+	122.62 грн
1000+	109.41 грн

Мінімальне замовлення: 46 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	153.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	107.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD600N25N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

405+	87.59 грн
500+	78.84 грн
1000+	72.70 грн
10000+	62.50 грн

Мінімальне замовлення: 405 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 55088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

405+	87.59 грн
500+	78.84 грн
1000+	72.70 грн
10000+	62.50 грн

Мінімальне замовлення: 405 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

179+	79.38 грн
180+	79.14 грн
200+	76.09 грн
500+	70.24 грн
1000+	67.34 грн

Мінімальне замовлення: 179 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-CHANNEL 100+

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.48 грн
10+	132.60 грн
100+	89.71 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

405+	87.59 грн
500+	78.84 грн
1000+	72.70 грн

Мінімальне замовлення: 405 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.89 грн
10+	92.14 грн
100+	62.35 грн
500+	46.53 грн
1000+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	132.60 грн
159+	89.71 грн

Мінімальне замовлення: 107 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD60N10S4L-12

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2

на замовлення 17951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.