Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+131.48 грн
100+94.64 грн
500+69.99 грн
1000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+133.48 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
500+64.84 грн
1000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+137.34 грн
100+86.98 грн
500+74.56 грн
1000+71.80 грн
2500+64.68 грн
5000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.46 грн
10+136.92 грн
100+99.06 грн
500+64.84 грн
1000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.02 грн
100+147.66 грн
2000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+124.64 грн
100+73.87 грн
500+62.34 грн
1000+55.57 грн
2500+52.60 грн
5000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.94 грн
25+73.06 грн
100+68.76 грн
250+63.04 грн
500+59.91 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.63 грн
500+60.43 грн
1000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.94 грн
195+73.06 грн
199+71.31 грн
250+68.08 грн
500+62.40 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.40 грн
100+71.22 грн
500+53.51 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.25 грн
10+105.51 грн
100+75.63 грн
500+60.43 грн
1000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+98.94 грн
100+67.56 грн
500+50.80 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.88 грн
25+78.62 грн
100+74.61 грн
250+67.96 грн
500+64.18 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.00 грн
500+63.72 грн
1000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+119.08 грн
100+70.41 грн
500+57.71 грн
1000+54.19 грн
2500+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.13 грн
178+79.88 грн
181+78.62 грн
184+74.61 грн
250+67.96 грн
500+64.18 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
10+95.84 грн
100+77.00 грн
500+63.72 грн
1000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.26 грн
116+122.85 грн
119+120.02 грн
500+92.95 грн
1000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SInfineon
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7S E8228Infineon Technologies CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.98 грн
125+113.57 грн
250+108.84 грн
500+100.15 грн
1000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 11771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+98.44 грн
100+57.71 грн
500+46.81 грн
1000+41.90 грн
2500+39.21 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.46 грн
100+56.14 грн
500+41.70 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.02 грн
195+72.95 грн
500+63.41 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.35 грн
500+48.01 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1
Код товару: 201989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.37 грн
10+90.02 грн
100+72.95 грн
500+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.52 грн
5000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.68 грн
10+114.98 грн
25+114.27 грн
100+109.51 грн
250+100.78 грн
500+96.15 грн
1000+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
50+91.01 грн
100+64.35 грн
500+48.01 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.14 грн
161+88.40 грн
500+70.14 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SInfineonMOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+86.65 грн
500+77.99 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEInfineon technologies
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.3A DPAK-2
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.02 грн
5000+20.93 грн
7500+20.70 грн
12500+19.59 грн
17500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.19 грн
222+64.02 грн
319+44.54 грн
334+41.01 грн
500+31.64 грн
1000+27.85 грн
2000+27.24 грн
2500+25.92 грн
10000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.82 грн
500+18.32 грн
1000+15.12 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1445+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 1445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.48 грн
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+42.79 грн
100+24.30 грн
500+18.64 грн
1000+16.84 грн
2500+14.84 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.42 грн
20+40.83 грн
100+26.82 грн
500+18.32 грн
1000+15.12 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.83 грн
5000+20.74 грн
7500+20.53 грн
12500+19.42 грн
17500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.38 грн
100+26.28 грн
500+18.96 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.02 грн
500+25.58 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+46.14 грн
100+30.26 грн
500+22.01 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.09 грн
202+70.40 грн
265+53.63 грн
277+49.44 грн
500+39.98 грн
1000+36.35 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+47.55 грн
100+27.82 грн
500+21.54 грн
1000+19.61 грн
2500+17.19 грн
5000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.07 грн
17+47.76 грн
100+33.02 грн
500+25.58 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 19885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+61.03 грн
100+40.44 грн
500+29.67 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.98 грн
16+52.27 грн
100+38.58 грн
500+30.14 грн
1000+24.71 грн
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 10287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.99 грн
100+33.90 грн
500+29.96 грн
1000+25.68 грн
2500+23.20 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
864+41.04 грн
1000+37.85 грн
10000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.61 грн
500+28.05 грн
1000+25.34 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]