Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN360N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 310A
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 1.07kW
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4618.94 грн
10+3689.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3205.17 грн
10+2329.91 грн
100+2187.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36M00IXYSMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 380nC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYSMOSFET Modules 1KV 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110PIXYS36A/1100V/MOS/1U
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N60IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N60IXYSMOSFET Modules 600V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100PIXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3395.56 грн
10+2626.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN38N100P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3538.11 грн
5+3339.18 грн
10+3137.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3806.28 грн
10+2787.23 грн
100+2543.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3709.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100Q2
Код товару: 21957
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100Q2Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100Q2IXYSMOSFET Modules 38 Amps 1000V 0.25 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100Q2IXYS38A/1000V/MOS/1U
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N80Q2IXYS38A/800V/MOS/1U
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N80Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 38 Amps 800V 0.22 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N80Q2WESTCODEMOSFET N-CH 800V 38A SOT227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N80Q2
Код товару: 61225
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN39N90IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN39N90IXYSMOSFET Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40-55IXYSMODULE
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN400N15X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN400N15X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3807.92 грн
10+3041.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3239.34 грн
10+2347.04 грн
100+2038.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN400N15X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN400N15X3 - MOSFET, MODULE, N-CH, 150V, 400A
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 695
Produktpalette: HiPerFET X3 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 1.1kV
Power dissipation: 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2032.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 1.1kV
Power dissipation: 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1835.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2773.36 грн
10+1996.66 грн
100+1821.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3366.56 грн
10+2673.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 33A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.94 грн
10+1524.76 грн
100+1327.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2989.31 грн
10+2168.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2489.48 грн
10+2026.01 грн
100+1707.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2641.70 грн
5+2300.22 грн
10+1958.73 грн
50+1806.10 грн
100+1655.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3006.27 грн
10+2181.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3136.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 1.07kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2433.20 грн
5+2025.89 грн
10+1917.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.22Ω
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2727.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100PIXYSMOSFET Modules 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3126.55 грн
10+2694.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N100Q3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38A, 1kV, 0.22 Ohm, 10V, 6.5V, SOT-227B
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 38
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 960
Produktpalette: HiperFET Q3-Class
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3488.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
On-state resistance: 0.22Ω
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4805.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4797.75 грн
10+4118.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50IXYSMOSFET Modules 500V 44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50IXYSSMA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50QIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50U2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50U2IXYSDiscrete Semiconductor Modules MOSFET with FAST Intrinsic Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50U2
Код товару: 165034
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50U2IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N50U3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N60IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80800V, 44A, 0.165 Ohm, -55...+155C, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80IXYSMOSFET Modules 44 Amps 800V 0.145 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80IXYSMODULE
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 44A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80PIXYSMOSFET Modules 36 Amps 800V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2708.55 грн
10+2042.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2581.53 грн
10+1846.94 грн
100+1574.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2677.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N45IXYS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50IXYSMOSFET Modules 500V 48A
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2833.39 грн
10+2395.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2722.10 грн
10+2196.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50(Транзистор)
Код товару: 46175
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]