Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N120SKIXYSDescription: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N120SKIXYSSiC MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYSMOSFET Modules 800V 27A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80
Код товару: 91884
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80QIXYSMOSFET Modules 27 Amps 800V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07IXYSMOSFET Modules 280 Amps 70V 0.006 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2780.19 грн
10+2752.78 грн
25+2725.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085IXYSMOSFET Modules 280 Amps 85V 0.0044 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2780.19 грн
10+2752.78 грн
25+2725.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3685.13 грн
10+2688.52 грн
50+2384.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 295 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 23000 @ 25, Qg, нКл = 279, Rds = 5,5 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 1070, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-227-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 295A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYSMOSFET Modules Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 3500 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 695W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 172ns
Gate charge: 375nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3655.61 грн
10+2665.93 грн
50+2361.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110PIXYS25A/1100V/MOS/1U
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 1200V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 75A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 75A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 310nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2IXYSDiscrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1000V 0.32 Rds
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 27A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3069.26 грн
10+2212.80 грн
50+1896.61 грн
100+1777.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100Q3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 780W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 195nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.31Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 360nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P
Код товару: 219019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5874.46 грн
10+4398.59 грн
50+4187.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PPolarHV™ HiPerFETs, N-Channel, 1200V,32A, 310 Ohm, 300ns, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 32 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P
Код товару: 114602
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80PIXYSMOSFET Modules 29 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N06IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N06IXYSMOSFET Modules 340 Amps 60V 0.003 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 340A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07IXYSMOSFET Modules HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYS34A/1000V/MOS/1U
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYSMOSFET Modules 34 Amps 1000V 0.28 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N80IXYSMOSFET Modules 34 Amps 800V 0.24 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSMOSFET Modules 360 Amps 100V
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2453.46 грн
10+1860.21 грн
100+1683.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1748.61 грн
5+1568.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2522.59 грн
10+2346.94 грн
50+2240.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T
Код товару: 92649
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2480.29 грн
10+1880.56 грн
100+1702.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2270.88 грн
10+1609.79 грн
50+1364.22 грн
100+1226.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4569.53 грн
10+3649.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4618.94 грн
10+3689.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.07kW
Gate charge: 715nC
Polarisation: unipolar
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 4mΩ
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36M00IXYSMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Gate charge: 380nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 144A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110PIXYS36A/1100V/MOS/1U
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N60IXYSMOSFET Modules 600V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.