Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN030-150P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150P,127NexperiaMOSFET PSMN030-150P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 55.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
661+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.12 грн
16+53.16 грн
100+34.23 грн
500+27.15 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.47 грн
100+23.36 грн
250+21.42 грн
500+20.36 грн
1000+20.16 грн
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
14+30.00 грн
25+27.01 грн
100+24.93 грн
250+23.85 грн
500+21.44 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 727830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+56.38 грн
1000+51.98 грн
10000+46.35 грн
100000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.09 грн
3000+16.81 грн
4500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+53.91 грн
50+34.59 грн
100+30.58 грн
1500+20.16 грн
3000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+56.38 грн
1000+51.98 грн
10000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 546000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.23 грн
500+27.15 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.06 грн
3000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.06 грн
3000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+24.47 грн
586+24.23 грн
591+23.99 грн
597+22.91 грн
1000+21.00 грн
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.11 грн
15000+30.26 грн
22500+28.15 грн
30000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.89 грн
500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030150P
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+104.55 грн
100+83.22 грн
500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+180.41 грн
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 26A
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+119.08 грн
100+71.80 грн
500+57.57 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.22 грн
100+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+89.71 грн
100+52.33 грн
500+45.01 грн
800+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN034-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+88.92 грн
100+65.51 грн
250+64.20 грн
500+57.99 грн
1000+49.57 грн
2500+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.23 грн
900+118.09 грн
1800+109.88 грн
2700+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.51 грн
250+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.13 грн
250+78.33 грн
500+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.85 грн
126+113.17 грн
160+88.84 грн
250+84.94 грн
500+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.85 грн
10+113.17 грн
100+88.84 грн
250+84.94 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN034-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.0293 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0293ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.72 грн
10+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.17 грн
160+88.84 грн
250+88.08 грн
500+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.18 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-100LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH QFN3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-100LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH QFN3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-100LS,115NexperiaMOSFET N-CHAN 100V 27A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B,118
Код товару: 127835
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN035-150B - 50A, 150
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150PNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150PPHI99+ DIP2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150PNexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
500+165.38 грн
1000+152.38 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
на замовлення 15033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
10+82.15 грн
100+60.57 грн
500+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 21.4A
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+85.74 грн
100+49.01 грн
500+38.94 грн
1000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.57 грн
500+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100KNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+49.15 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1602+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 30A
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.84 грн
50+43.56 грн
100+29.68 грн
500+23.13 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.84 грн
11+77.96 грн
50+64.67 грн
200+47.64 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.94 грн
100+31.52 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]