Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.05 грн
10+174.36 грн
100+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+134.17 грн
100+95.27 грн
600+79.39 грн
1200+78.70 грн
3000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.51 грн
10+128.86 грн
100+127.25 грн
500+115.92 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
30+124.84 грн
120+101.67 грн
510+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.87 грн
82+174.82 грн
118+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.35 грн
10+132.12 грн
30+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.38 грн
30+187.37 грн
120+155.10 грн
510+123.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.52 грн
10+175.58 грн
100+170.74 грн
500+153.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.55 грн
1200+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.46 грн
10+150.05 грн
100+103.55 грн
600+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
30+165.65 грн
120+136.45 грн
510+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.55 грн
1200+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.96 грн
10+458.87 грн
25+344.48 грн
100+324.46 грн
250+296.85 грн
600+285.11 грн
1200+267.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+261.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
30+267.26 грн
120+223.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.94 грн
10+266.59 грн
100+222.29 грн
500+205.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+264.29 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMIGBT N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40 A - 1200 V SC rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/164ns
Switching Energy: 595µJ (on), 716µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.02 грн
3+349.01 грн
10+323.25 грн
30+308.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VD
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors FAST N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMN-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WD (TO-247, STM)
Код товару: 41620
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 2,1 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 250 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 33/26
товару немає в наявності
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.94 грн
5+171.18 грн
10+158.71 грн
30+146.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.74 грн
10+177.19 грн
100+166.72 грн
500+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.46 грн
30+154.31 грн
120+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMIGBT 600V 80A 283W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF
Код товару: 156078
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+165.92 грн
100+118.74 грн
600+105.62 грн
1200+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.34 грн
30+203.45 грн
120+168.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.25 грн
10+231.15 грн
100+155.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.20 грн
10+232.61 грн
100+167.75 грн
600+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60W
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WD
Код товару: 186483
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 300µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsIGBTs 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDASTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Код товару: 49052
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V
Напруга насичення Vce, V: 1,65 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 70 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 45 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 250 W
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 30/145
у наявності: 17 шт
  • 5 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+280.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDI
Код товару: 34994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 45 A - 600 V Very Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors PowerMESH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WD
Код товару: 81901
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 285W TO247
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 126 nC
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 285 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronics
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/178ns
Switching Energy: 890µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.19 грн
10+340.22 грн
25+335.38 грн
100+287.49 грн
500+252.53 грн
600+234.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.26 грн
10+204.03 грн
100+127.02 грн
600+122.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+346.99 грн
45+315.49 грн
46+311.00 грн
100+266.59 грн
500+234.17 грн
600+217.89 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SSTMIGBT N-CH 600V 110A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50HF65SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60H
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60MST
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NB60M
Код товару: 152413
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]