Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW39NC60VDST80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+193.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD
Код товару: 116027
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,7 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/178
товару немає в наявності
1+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N-CHANNEL MFT
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+296.04 грн
4+265.85 грн
10+223.08 грн
30+179.47 грн
60+159.34 грн
120+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.91 грн
30+212.40 грн
120+175.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+243.88 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+556.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 158nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+509.38 грн
3+431.07 грн
5+402.55 грн
10+358.94 грн
30+343.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 187 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.29 грн
30+310.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+562.52 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.10 грн
30+287.25 грн
120+240.63 грн
510+193.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMIGBT 1200V 40A HS TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.55 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.53 грн
30+201.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.31 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.19 грн
82+174.44 грн
118+119.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.37 грн
10+173.97 грн
100+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.92 грн
10+133.35 грн
30+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.72 грн
30+206.23 грн
120+170.71 грн
510+135.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.20 грн
1200+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
30+167.18 грн
120+137.72 грн
510+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.20 грн
1200+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.02 грн
30+254.61 грн
120+212.34 грн
510+170.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMIGBT N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40 A - 1200 V SC rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/164ns
Switching Energy: 595µJ (on), 716µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+420.87 грн
3+352.23 грн
10+326.23 грн
30+311.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VD
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors FAST N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMN-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WD (TO-247, STM)
Код товару: 41620
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/26
товару немає в наявності
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.46 грн
5+172.76 грн
10+160.18 грн
30+147.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMSTGW40V60DF IGBT 600V 80A 283W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.77 грн
30+160.22 грн
120+131.45 грн
510+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+119.86 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+159.05 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+159.05 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF
Код товару: 156078
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.85 грн
30+224.95 грн
120+186.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60W
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 300µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsIGBTs 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WD
Код товару: 186483
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDASTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Код товару: 49052
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,65 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 45 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 30/145
у наявності: 13 шт
  • 1 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+280.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDI
Код товару: 34994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]