Продукція > STG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW39NC60VD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW39NC60VD Код товару: 116027
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В Напруга насичення Vce, В: 1,7 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/178 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | IGBTs N-CHANNEL MFT | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 338 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 250 W | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 468 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 187 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 488 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 468W Gate charge: 158nC Type of transistor: IGBT | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STM | IGBT 1200V 40A HS TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H120F2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 158 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STM | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40H65FB | STMicroelectronics | IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STM | IGBT N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40M120DF3 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40N120KD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 40 A - 1200 V SC rugged IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40N120KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 240 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs 40A - 600V Short circuit rugged IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 250W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: 46ns/164ns Switching Energy: 595µJ (on), 716µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 38A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60V | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 50 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60V | на замовлення 3368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW40NC60V | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 214 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60VD | на замовлення 3368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW40NC60W | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW40NC60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 250W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60WD | STM | N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60WD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60WD | STMicroelectronics | IGBT Transistors FAST N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40NC60WD (TO-247, STM) Код товару: 41620
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В Напруга насичення Vce, В: 2,1 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/26 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| STGW40S120DF3 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 468 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 129 nC Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40S120DF3 | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40S120DF3 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DF Код товару: 156078
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 547 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DF | STM | STGW40V60DF IGBT 600V 80A 283W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW40V60DLF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DLF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/208ns Switching Energy: 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DLF | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60DLF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60F | STMicroelectronics | IGBTs 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STGW45HF60W | на замовлення 6023 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGW45HF60WD Код товару: 186483
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW45HF60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns Switching Energy: 300µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WD | STMicroelectronics | IGBTs 45A 600V Ultra Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WD | STM | IGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WDA | STM | IGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WDB (TO-247, ST) Код товару: 49052
2
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В Напруга насичення Vce, В: 1,65 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 45 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 30/145 | у наявності: 13 шт
|
| ||||||||||||
| STGW45HF60WDI | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WDI | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 70A 250W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: -/145ns Switching Energy: 330µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STGW45HF60WDI Код товару: 34994
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STGW45HF60WDI | STMicroelectronics | IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

