Продукція > STG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGW40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.08 грн
30+262.33 грн
120+219.27 грн
510+176.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMIGBT 1200V 40A HS TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+152.14 грн
1020+150.62 грн
1200+148.77 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 0.21µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+154.17 грн
1020+152.63 грн
1200+150.75 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+207.24 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.15 грн
30+232.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.06 грн
10+179.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.42 грн
30+128.46 грн
120+104.60 грн
510+81.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.35 грн
10+132.12 грн
30+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.22 грн
30+204.34 грн
120+169.15 грн
510+134.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.55 грн
1200+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
30+165.65 грн
120+136.45 грн
510+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+155.55 грн
1200+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.29 грн
30+266.22 грн
120+222.63 грн
510+178.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMIGBT N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40 A - 1200 V SC rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/164ns
Switching Energy: 595µJ (on), 716µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.02 грн
3+349.01 грн
10+323.25 грн
30+308.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60VD
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors FAST N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMN-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60WD (TO-247, STM)
Код товару: 41620
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/26
товару немає в наявності
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 129 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF
Код товару: 156078
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMSTGW40V60DF IGBT 600V 80A 283W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.94 грн
5+211.90 грн
10+181.98 грн
30+146.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
30+167.67 грн
120+137.94 грн
510+108.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.06 грн
30+222.89 грн
120+185.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60W
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 300µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMicroelectronicsIGBTs 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDSTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WD
Код товару: 186483
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDASTMIGBT 600V 70A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Код товару: 49052
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,65 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 45 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 250 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 30/145
у наявності: 7 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+320.00 грн
10+295.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDI
Код товару: 34994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 45 A - 600 V Very Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors PowerMESH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WD
Код товару: 81901
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 285W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 285 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/178ns
Switching Energy: 890µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.19 грн
10+340.22 грн
25+335.38 грн
100+287.49 грн
500+252.53 грн
600+234.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.