Продукція > Si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay BC ComponentsMOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.59 грн
10+47.47 грн
100+32.91 грн
500+25.80 грн
1000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.83 грн
10+47.03 грн
100+32.58 грн
500+25.55 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.74 грн
5000+26.28 грн
10000+24.78 грн
25000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.23 грн
24+31.87 грн
28+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3
Код товару: 49681
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450SI
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYVishay / SiliconixMOSFETs 60V 7.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-E3SIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-T1SI00+
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450DYT1E3VISHAY
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4450Y-T1
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DYVISHAY09+
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-E3VISHAY
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4451DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4453DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4454SISOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSILICON LABSCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 500kbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 50nA
Case: QFN20
Mounting: SMD
Frequency: 283...690MHz
Transmitter output power: 13dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
Type of integrated circuit: RF transceiver
Data transfer rate: 500kbps
DC supply current: 30mA
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: AFC; AGC; CRC; RSSI
Quiescent current: 50nA
Kind of modulation: FSK; GFSK; OOK
Communictions protocol: ISM
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.67 грн
35+412.78 грн
39+365.15 грн
100+331.70 грн
250+294.81 грн
490+280.18 грн
500+274.59 грн
980+272.08 грн
1000+268.11 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon LabsSI4455-B1A-FM SI4455
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+179.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER SI4455XXX
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.04 грн
10+278.34 грн
25+263.22 грн
100+227.60 грн
250+215.95 грн
500+207.72 грн
1000+196.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.04 грн
10+278.34 грн
25+263.22 грн
100+227.60 грн
490+207.96 грн
980+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.32 грн
100+211.49 грн
250+203.13 грн
500+187.34 грн
1000+179.12 грн
3000+178.41 грн
6000+177.69 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+278.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 93895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.04 грн
10+278.34 грн
25+263.22 грн
100+227.60 грн
250+215.95 грн
500+207.72 грн
1000+196.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
на замовлення 38006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.90 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+298.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.00 грн
10+213.15 грн
25+212.32 грн
100+203.94 грн
250+188.08 грн
500+179.84 грн
1000+179.12 грн
3000+178.41 грн
6000+177.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+179.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY
Код товару: 130933
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.60 грн
10+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.07 грн
162+87.70 грн
165+86.33 грн
167+81.91 грн
250+74.62 грн
500+70.45 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+215.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.07 грн
10+87.70 грн
25+86.33 грн
100+81.91 грн
250+74.62 грн
500+70.45 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.46 грн
102+139.39 грн
109+131.12 грн
200+125.30 грн
500+103.68 грн
1000+92.85 грн
2000+90.52 грн
2500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+101.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4456DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.