Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS83 T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE7 MOS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83,215
Код товару: 75604
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83,215NXP SemiconductorsMOSFETs N-CH MOSFET 10V 50MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83,215NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 10V SOT143B
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 50mA
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 10 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143B
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83,235NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 10V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.23 грн
100+7.65 грн
500+5.30 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.55 грн
46+16.54 грн
100+10.12 грн
250+9.27 грн
500+6.57 грн
1000+5.78 грн
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1348+10.49 грн
1363+10.38 грн
1846+7.67 грн
2098+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 1348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS83IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1; BSS83P JSMICRO TBSS83p JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PINFINEON TECHNOLOGIES07+
на замовлення 7433 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P H6327Infineon
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P L6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 330mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PE6327INFSOT23 09+PBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Power: 0.36W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -330mA SOT-23-3
на замовлення 9150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+22.65 грн
991+14.28 грн
1329+10.65 грн
1495+9.13 грн
3000+6.33 грн
6000+5.69 грн
9000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
6000+6.27 грн
9000+5.93 грн
15000+5.21 грн
21000+5.00 грн
30000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.54 грн
6000+6.95 грн
9000+5.77 грн
15000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.90 грн
50+20.65 грн
250+13.01 грн
1000+8.08 грн
5000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.90 грн
24+18.11 грн
50+12.33 грн
100+10.44 грн
500+7.31 грн
1000+6.26 грн
3000+5.10 грн
6000+4.57 грн
9000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 120160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.32 грн
10000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.78 грн
100+12.44 грн
500+8.69 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.40 грн
250+10.24 грн
1000+7.62 грн
5000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84JSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84EVVODescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84YFWTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84MDDDescription: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ONS/FAISOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
9000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84UMWTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Taiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -0.15A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84MERRYTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84
Код товару: 187507
1 Додати до обраних Обраний товар
UMWТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 50 V
Струм стоку Id, A: 0,13 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9
Монтаж: SMD
у наявності: 2704 шт
  • 2422 шт - склад
  • 195 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 52 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
9000+1.89 грн
15000+1.64 грн
21000+1.56 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84GALAXYTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
63+4.83 грн
102+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.38 грн
127+6.45 грн
222+3.67 грн
500+2.51 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AnBonTransistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.79 грн
43+17.92 грн
100+11.48 грн
500+8.41 грн
1000+6.89 грн
3000+4.11 грн
6000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84SHIKUESTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Analog Power Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 0.3A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+32.53 грн
100+20.69 грн
500+17.47 грн
1000+15.70 грн
3000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84HXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84UMWDescription: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
61+4.98 грн
69+4.38 грн
100+3.46 грн
250+3.15 грн
500+2.96 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84YFWTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 93529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.31 грн
500+6.47 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 14583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.87 грн
56+14.71 грн
100+12.76 грн
500+10.04 грн
1500+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+17.88 грн
100+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+11.15 грн
9000+11.02 грн
12000+10.61 грн
27000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84SLKORTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.93 грн
53+14.45 грн
101+7.51 грн
106+6.92 грн
250+6.10 грн
500+5.56 грн
1000+5.26 грн
3000+4.97 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84onsemiMOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 256408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LGETranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11987 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84
Код товару: 10019
Додати до обраних Обраний товар
ON/ JCSTТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 50 V
Струм стоку Id, A: 0,13 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 40/ -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.80 грн
1000+1.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84EVVODescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
50+6.11 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Createk MicroelectronicsTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
6000+1.35 грн
9000+1.26 грн
15000+1.09 грн
21000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84Fairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 1475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 14583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.76 грн
500+10.04 грн
1500+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84YYTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1972+7.18 грн
2072+6.83 грн
2181+6.49 грн
2305+5.92 грн
3000+5.18 грн
6000+4.68 грн
15000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 1972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84REALCHIPTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.32 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84HT SEMITransistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 2300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84UMWDescription: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84YFWTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
6000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AnBonTransistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
6000+11.59 грн
9000+11.47 грн
12000+11.04 грн
27000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
на замовлення 44443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
28+15.01 грн
50+10.52 грн
100+9.01 грн
500+6.42 грн
1000+5.61 грн
1500+5.20 грн
3000+4.59 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84HT Jinyu SemiconductorP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10274+1.38 грн
60000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84SLKORTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 B84JUXINGTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 B84HT SEMITransistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 PDLMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 LMSEMI TBSS84 LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
на замовлення 15055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
35+8.76 грн
100+5.46 грн
500+3.74 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84(Z)Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5068+2.79 грн
6000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]