Продукція > si3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3433BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 5.2A
на замовлення 115441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 4357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.13 грн
50+24.23 грн
100+20.04 грн
500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.33 грн
42+18.11 грн
100+15.89 грн
250+14.39 грн
500+13.05 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
783+18.11 грн
861+16.48 грн
880+16.11 грн
932+14.68 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.13 грн
50+24.23 грн
100+20.04 грн
500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 8227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.91 грн
38+20.19 грн
51+15.06 грн
100+12.30 грн
250+11.32 грн
500+9.86 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3VishayTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 6A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
942+15.06 грн
1112+12.76 грн
1118+12.68 грн
1233+11.09 грн
1374+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.13 грн
50+24.23 грн
100+20.04 грн
500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433DVVISHAY09+
на замовлення 180018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433DV-T1VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433DV-T1-E3VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433DVT1
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434BDY-T1-E3
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DVVISHAYSOT23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DV-T1
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DV-T1-E3VISHAY0523NO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3434DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3435DV-T1VISHAY
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3435DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 4.8A 2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3435DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+51.83 грн
100+35.88 грн
500+28.14 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S)
на замовлення 36543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.67 грн
6000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 29994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.69 грн
50+42.15 грн
100+35.15 грн
500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 43110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.67 грн
6000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.06 грн
9000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.54 грн
23+34.03 грн
25+33.51 грн
100+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 9715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 12329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.89 грн
50+43.06 грн
100+35.90 грн
500+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 9715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.58 грн
9000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 114651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+72.84 грн
50+54.58 грн
100+45.68 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 34559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.86 грн
9000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.65 грн
19+41.95 грн
25+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 29530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.25 грн
50+57.84 грн
100+48.43 грн
500+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDW-TPMicro Commercial CoDescription: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDW-TPMicro Commercial CoDescription: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 20V N-Ch 12Vgs 0.75A P-Ch -20V 12Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.22 грн
9000+6.06 грн
24000+5.78 грн
30000+5.30 грн
45000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.22 грн
9000+6.42 грн
24000+5.78 грн
30000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 29391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.43 грн
100+11.00 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.75/-0.6A; Idm: 3A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.75/-0.6A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+6.49 грн
9000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+6.48 грн
9000+6.06 грн
24000+5.78 грн
30000+5.30 грн
45000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.22 грн
9000+6.42 грн
24000+5.78 грн
30000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.41 грн
6000+5.59 грн
9000+5.30 грн
15000+4.66 грн
21000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.