Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH8008SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.55 грн
5000+22.81 грн
7500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 6500 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 6500 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+47.02 грн
100+40.98 грн
500+35.09 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.48 грн
25+52.46 грн
100+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.60 грн
5000+30.88 грн
7500+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.72 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.53 грн
16+47.43 грн
25+46.95 грн
100+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 183508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+41.74 грн
100+32.21 грн
500+28.31 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.23 грн
5000+22.13 грн
7500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+54.72 грн
100+36.39 грн
500+26.66 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 709235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
100+30.00 грн
500+21.79 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 708000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.39 грн
6000+16.35 грн
9000+15.66 грн
15000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+42.65 грн
100+28.72 грн
500+21.79 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.34 грн
100+27.64 грн
500+20.02 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes ZetexDual Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH81M2SPGW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH81M2SPGWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.37 грн
10+301.08 грн
25+261.85 грн
50+222.93 грн
100+203.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH81M2SPGWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH82M6SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH82M6SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH83M2SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13Diodes Zetex80V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTHV18HOMEVISION TECHNOLOGY INCDescription: 18 inch Dish Actuator
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTOYO01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Toyota; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Toyota
Application - car model: Toyota Avensis 2005->; Toyota Corolla 2002->; Toyota RAV4 II 2000->2005; Toyota Yaris 1999->; Toyota Yaris Verso 1999->
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Thickness: 26mm
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Toyota Avensis front doors; Toyota Corolla front doors; Toyota Corolla rear doors; Toyota RAV4 front doors; Toyota Yaris front doors; Toyota Yaris Verso front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+565.38 грн
3+467.13 грн
5+409.26 грн
10+405.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTOYO02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Toyota; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Toyota
Thickness: 16mm
Car Audio features: impregnated
Application - car model: Toyota Corolla (E11) 1997->2001
Application - loudspeaker localisation: Toyota Corolla front doors; Toyota Corolla rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+509.38 грн
3+421.00 грн
5+368.17 грн
10+365.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP55NOTripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP55NOTripp LiteMounting Fixings DMTP55NO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP65OPSEaton Tripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
Packaging: Bulk
Interface: HDMI, USB, VGA
Diagonal Screen Size: 65.00" (1651.00mm)
Touchscreen: 20 Point Multi-Touch
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+285947.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B3TPRS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T R S
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B3TPRS05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 5A SPDT ON NONE ON T R S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
10+221.98 грн
25+209.41 грн
50+187.99 грн
100+179.81 грн
300+167.55 грн
500+159.47 грн
1000+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B4TPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON NONE ON T V G
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+242.97 грн
25+229.12 грн
50+205.67 грн
100+196.73 грн
300+183.31 грн
500+174.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B4TPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON NONE ON T V G
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B4TPVS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T V S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B4TPVS05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 5A SPDT ON NONE ON T V S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+212.92 грн
25+200.80 грн
50+180.24 грн
100+172.42 грн
300+160.66 грн
500+152.91 грн
1000+146.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T2B2TPRS05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 5A SPDT (ON NONE ON) T R S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
10+221.98 грн
25+209.41 грн
50+187.99 грн
100+179.81 грн
300+167.55 грн
500+159.47 грн
1000+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: 1/4-40
Actuator Length: 6.86mm
Actuator Type: Standard Round
Panel Cutout Dimensions: Circular - 6.35mm Dia
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+251.34 грн
25+237.00 грн
50+212.77 грн
100+203.50 грн
300+189.62 грн
500+180.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: Unthreaded
Actuator Length: 10.41mm
Actuator Type: Standard Round
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+251.34 грн
25+237.00 грн
50+212.77 грн
100+203.50 грн
300+189.62 грн
500+180.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-1000Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-1000Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 1000VA CHAS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-1000BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - DMTT-1000 - PCB MOUNT TRANSFORMERS
tariffCode: 85043180
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-300Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-300Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 300VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 104.80mm L x 128.10mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Termination Style: Terminal Block
Primary Winding(s): Dual, Multiple Taps
Secondary Winding(s): Triple
Power - Max: 300VA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current - Output (Max): Parallel 25A, Series 12.5A
Voltage - Primary: 200V, 220V, 240V, 400V, 420V, 440V, 460V, 480V
Height - Seated (Max): 98.20mm
Voltage - Secondary (Full Load): Parallel 12V, Series 24V
Center Tap: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-650Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-650Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 650VA CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.