Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.48 грн
25+52.46 грн
100+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.60 грн
5000+30.88 грн
7500+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.80 грн
21+40.24 грн
100+39.02 грн
500+35.02 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 183508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+41.74 грн
100+32.21 грн
500+28.31 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.04 грн
500+32.23 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.53 грн
16+47.43 грн
25+46.95 грн
100+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.72 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.05 грн
17+49.26 грн
100+38.04 грн
500+32.23 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+54.72 грн
100+36.39 грн
500+26.66 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.23 грн
5000+22.13 грн
7500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 709235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
100+30.00 грн
500+21.79 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 708000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.39 грн
6000+16.35 грн
9000+15.66 грн
15000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+42.65 грн
100+28.72 грн
500+21.79 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.70 грн
19+43.16 грн
100+29.02 грн
500+19.70 грн
1000+16.44 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.34 грн
100+27.64 грн
500+20.02 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.02 грн
500+19.70 грн
1000+16.44 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes ZetexDual Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH82M6SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH82M6SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH83M2SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
11+79.66 грн
100+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.68 грн
500+95.86 грн
1000+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13Diodes Zetex80V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+91.85 грн
500+64.53 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTHV18HOMEVISION TECHNOLOGY INCDescription: 18 inch Dish Actuator
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTOYO01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Toyota; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Toyota
Application - car model: Toyota Avensis 2005->; Toyota Corolla 2002->; Toyota RAV4 II 2000->2005; Toyota Yaris 1999->; Toyota Yaris Verso 1999->
Car Audio features: impregnated
Material: MDF
Thickness: 26mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
Application - loudspeaker localisation: Toyota Avensis front doors; Toyota Corolla front doors; Toyota Corolla rear doors; Toyota RAV4 front doors; Toyota Yaris front doors; Toyota Yaris Verso front doors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+585.25 грн
3+483.06 грн
5+422.68 грн
10+419.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP55NOTripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP55NOTripp LiteMounting Fixings DMTP55NO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTP65OPSEaton Tripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
Touchscreen: 20 Point Multi-Touch
Diagonal Screen Size: 65.00" (1651.00mm)
Interface: HDMI, USB, VGA
Packaging: Bulk
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+285947.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B3TPRS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T R S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS1T1B4TPVS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T V S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: 1/4-40
Actuator Length: 6.86mm
Actuator Type: Standard Round
Panel Cutout Dimensions: Circular - 6.35mm Dia
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: Unthreaded
Actuator Length: 10.41mm
Actuator Type: Standard Round
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-1000Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-1000Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 1000VA CHAS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-300Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 300VA CHAS MT
Center Tap: No
Voltage - Secondary (Full Load): Parallel 12V, Series 24V
Height - Seated (Max): 98.20mm
Voltage - Primary: 200V, 220V, 240V, 400V, 420V, 440V, 460V, 480V
Current - Output (Max): Parallel 25A, Series 12.5A
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Power - Max: 300VA
Secondary Winding(s): Triple
Primary Winding(s): Dual, Multiple Taps
Termination Style: Terminal Block
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Type: Laminated Core
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 104.80mm L x 128.10mm W
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-300Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-650Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTT-650Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 650VA CHAS MT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTX-19V15W-EZ-SYSSemtechPower Management IC Development Tools DUALMODE TRANSMITTER MODULE 19VIN, 15W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTX-19V15W-EZ-SYSSemtech CorporationDescription: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V
Packaging: Bulk
Function: Wireless Power Supply/Charging
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TS80000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26