Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.92 грн
500+95.31 грн
1000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.69 грн
10+136.61 грн
100+95.62 грн
500+74.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.40 грн
5000+49.07 грн
7500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.92 грн
500+95.31 грн
1000+87.91 грн
10000+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
488+29.06 грн
496+28.61 грн
504+28.15 грн
512+26.70 грн
521+24.32 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 488 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.69 грн
104+136.61 грн
149+95.62 грн
500+74.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.27 грн
26+29.51 грн
27+27.58 грн
100+25.14 грн
250+23.73 грн
500+23.34 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 12373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+114.20 грн
100+78.12 грн
500+58.84 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.92 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.85 грн
179+79.62 грн
200+78.56 грн
500+75.52 грн
1000+69.82 грн
2000+66.73 грн
2500+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+128.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.84 грн
10+109.04 грн
25+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.94 грн
10+120.78 грн
100+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.44 грн
134+106.20 грн
500+102.29 грн
1000+94.50 грн
2000+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+88.65 грн
500+79.79 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.67 грн
25000+79.19 грн
37500+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.43 грн
116+122.42 грн
118+120.29 грн
122+112.85 грн
156+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+88.65 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.39 грн
10+83.93 грн
50+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.90 грн
108+131.36 грн
120+119.07 грн
200+93.86 грн
1000+81.25 грн
2000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+99.84 грн
100+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.43 грн
10+122.42 грн
25+120.29 грн
50+112.85 грн
100+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.69 грн
136+104.78 грн
250+100.58 грн
500+93.49 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+75.09 грн
50+56.30 грн
100+47.16 грн
500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.79 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.73 грн
7500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.14 грн
157+90.72 грн
200+82.59 грн
500+61.42 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.36 грн
5000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.38 грн
5000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon Technologies600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.78 грн
500+74.50 грн
1000+68.71 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.93 грн
100+79.43 грн
500+62.95 грн
1000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.93 грн
179+79.43 грн
500+62.95 грн
1000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.76 грн
100+64.21 грн
500+47.97 грн
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.49 грн
127+111.86 грн
168+84.58 грн
200+77.00 грн
500+67.40 грн
1000+60.95 грн
2000+60.86 грн
5000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.43 грн
5000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.66 грн
5000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.17 грн
50+39.46 грн
100+32.83 грн
500+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6BTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R2K0C6BTMA1 - IPD60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.18 грн
23+34.34 грн
25+34.00 грн
50+32.46 грн
100+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.22 грн
100+30.21 грн
500+21.90 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.83 грн
300+47.30 грн
423+33.52 грн
500+27.69 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.83 грн
16+47.30 грн
100+33.52 грн
500+27.69 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.