Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.00 грн
125+113.21 грн
154+91.90 грн
256+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+92.57 грн
50+69.91 грн
100+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.34 грн
10+114.13 грн
50+92.65 грн
100+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512S2532Harris CorporationDescription: 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF513PBFVishay
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SiliconixN-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 (TO-220 ST)
Код товару: 186775
6 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 108 шт
  • 72 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+12.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-ModulInfineonМодуль MOSFET-транзистора IRF520 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NInfineonN-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520N
Код товару: 25347
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NL
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+24.30 грн
595+23.75 грн
629+22.45 грн
1000+21.49 грн
4000+19.77 грн
10000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.39 грн
4000+30.12 грн
10000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInternational RectifierMFET N-CH 100 V 9.7A 0.2 A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.32 грн
16+49.83 грн
100+44.79 грн
500+34.32 грн
1000+31.02 грн
4000+29.04 грн
10000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.39 грн
4000+30.12 грн
10000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.28 грн
50+37.22 грн
100+30.96 грн
500+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF
Код товару: 55824
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.27 грн
31+24.62 грн
100+24.06 грн
500+21.93 грн
1000+20.17 грн
4000+19.22 грн
10000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
15+30.14 грн
25+28.87 грн
50+27.77 грн
100+26.58 грн
250+25.23 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 11855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.56 грн
286+49.43 грн
318+44.42 грн
500+34.04 грн
1000+30.77 грн
4000+28.80 грн
10000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF/IRIR08+;
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.08 грн
152+92.96 грн
187+75.57 грн
200+68.24 грн
1600+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRR
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF
Код товару: 216814
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 96 шт
  • 66 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+29.00 грн
10+26.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.11 грн
10+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFТранзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 30702 шт:
термін постачання 424-433 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 156292
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 3 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 23704
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 9.2A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.85 грн
10+108.41 грн
50+82.33 грн
100+69.36 грн
500+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 9.2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.53 грн
10+91.50 грн
50+68.96 грн
100+57.87 грн
500+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VL
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 25969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 23832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
1000+70.92 грн
10000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210HRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 9362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.70 грн
10+175.15 грн
50+135.43 грн
100+115.09 грн
500+94.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
  • 154 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.43 грн
10+126.60 грн
50+77.69 грн
100+74.17 грн
500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]