Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.87 грн
1600+55.32 грн
2400+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.16 грн
1600+55.59 грн
2400+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+91.73 грн
100+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.59 грн
124+113.86 грн
254+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+91.73 грн
100+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.59 грн
10+113.86 грн
100+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512S2532Harris CorporationDescription: 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF513PBFVishay
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SiliconixN-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 (TO-220 ST)
Код товару: 186775
6 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 107 шт
  • 76 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5 шт
  • 5 шт - очікується
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+12.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-ModulInfineonМодуль MOSFET-транзистора IRF520 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520N
Код товару: 25347
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NInfineonN-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NL
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.91 грн
228+61.99 грн
252+56.13 грн
500+43.66 грн
1000+34.44 грн
4000+30.21 грн
10000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.82 грн
25+31.22 грн
100+30.29 грн
500+27.17 грн
1000+23.68 грн
4000+21.91 грн
10000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.65 грн
4000+33.01 грн
10000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.98 грн
15+29.79 грн
25+28.53 грн
50+27.45 грн
100+26.27 грн
250+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.91 грн
13+61.99 грн
100+56.13 грн
500+43.66 грн
1000+34.44 грн
4000+30.21 грн
10000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.65 грн
4000+33.01 грн
10000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.05 грн
469+30.12 грн
504+28.02 грн
1000+25.43 грн
4000+22.70 грн
10000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInternational RectifierMFET N-CH 100 V 9.7A 0.2 A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.58 грн
50+47.91 грн
100+42.63 грн
500+31.32 грн
1000+28.52 грн
2000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF
Код товару: 55824
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF/IRIR08+;
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.08 грн
152+92.96 грн
187+75.57 грн
200+68.24 грн
1600+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRR
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFТранзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.92 грн
50+63.28 грн
100+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.26 грн
50+67.58 грн
100+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+63.92 грн
224+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF
Код товару: 216814
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 96 шт
  • 66 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+29.00 грн
10+26.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.06 грн
184+76.79 грн
250+65.33 грн
500+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.29 грн
10+53.22 грн
50+48.53 грн
100+42.76 грн
250+36.48 грн
500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+67.88 грн
210+67.20 грн
233+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 156292
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 3 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 23704
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.62 грн
50+81.58 грн
100+73.23 грн
500+55.00 грн
1000+50.58 грн
2000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 9.2A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 9.2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+92.95 грн
174+81.26 грн
194+73.05 грн
500+57.53 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.99 грн
50+64.47 грн
100+57.64 грн
500+42.87 грн
1000+39.26 грн
2000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.95 грн
50+81.26 грн
100+73.05 грн
500+57.53 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VL
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 23832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
1000+70.92 грн
10000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 25969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.43 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF521HARRISIRF521
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]