Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC265N10LSFGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.78 грн
180+79.04 грн
210+67.72 грн
221+61.93 грн
500+53.58 грн
1000+48.33 грн
5000+42.44 грн
10000+39.86 грн
20000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-0101RСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-0101VСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 34 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-05N2566Строчный трансформатор для TV
на замовлення 41 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-N2247 (BSC26-01N4004F TF0090)Строчный трансформатор для TV
на замовлення 43 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-T1089N BSC62D(S)Строчный трансформатор для TV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-T1123Строчный трансформатор для TV
на замовлення 86 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC27-Z1001=BSC25-1003AСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 141 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC28-5305A(брак)Строчный трансформатор для TV
на замовлення 38 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC28-N2326Строчный трансформатор для TV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-0108Строчный трансформатор для TV
на замовлення 96 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-0134 (BSC25-N0594)Строчный трансформатор для TV
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-0165Строчный трансформатор для TV
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-0177Строчный трансформатор для TV
на замовлення 47 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-0197GBSC29-0197G
на замовлення 39 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-3802-12RСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 29 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-N1103AСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 161 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-T1123BСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-T6018HСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 47 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-Z1415AСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC2A20DLYY-03LCD, Character, 20x2, 180.0x40.0, інтерфейс 4/8 Bit, підсвітка yellow-green, можлива заміна, Ampire AC202BYJLY71H-AR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+1287.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC300AEssentraMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.03 грн
38+382.84 грн
50+368.26 грн
100+343.05 грн
250+308.00 грн
500+287.64 грн
1000+280.61 грн
2500+274.41 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Version: ESD
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+257.73 грн
30+207.74 грн
50+201.09 грн
100+196.11 грн
200+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineonBSC320N20NS3 G BSC320N20NS3G MOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+520.87 грн
29+498.49 грн
50+479.49 грн
100+446.69 грн
250+401.05 грн
500+374.54 грн
1000+365.37 грн
2500+357.32 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 39474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+89.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.63 грн
10+157.73 грн
50+121.42 грн
100+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 39474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.99 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineonСиловой MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.22 грн
10000+30.35 грн
20000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 488805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.30 грн
50+38.04 грн
100+31.67 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 488805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.59 грн
11+38.47 грн
100+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 транзистор
Код товару: 219437
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDInfineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GInfineon
на замовлення 8671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.11 грн
15000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.26 грн
10+142.17 грн
50+107.64 грн
100+92.45 грн
500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.89 грн
132+107.44 грн
149+95.68 грн
500+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.57 грн
50+74.67 грн
100+62.84 грн
500+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC40Brady CorporationDescription: (SOC) BSC40 SOC, 3"X42", CELLULO
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.09 грн
10+249.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 21940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3GATMA1 TBSC440n10ns3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC4IV2BOSCH
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.