Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC29-T1123BСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 39 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-T6018HСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 47 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC29-Z1415AСтрочный трансформатор для TV
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC2A20DLYY-03LCD, Character, 20x2, 180.0x40.0, інтерфейс 4/8 Bit, підсвітка yellow-green, можлива заміна, Ampire AC202BYJLY71H-AR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+1284.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC300AEssentraMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+519.71 грн
29+497.38 грн
50+478.43 грн
100+445.69 грн
250+400.16 грн
500+373.70 грн
1000+364.56 грн
2500+356.52 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GInfineonMOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 14571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+161.00 грн
100+111.44 грн
500+84.68 грн
1000+78.28 грн
2000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.03 грн
53+270.42 грн
60+238.27 грн
100+211.94 грн
250+180.08 грн
500+156.39 грн
1000+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.25 грн
250+117.86 грн
1000+79.25 грн
3000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.46 грн
62+229.62 грн
77+185.14 грн
100+166.93 грн
200+153.50 грн
500+131.90 грн
1000+122.62 грн
2000+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+247.92 грн
50+155.25 грн
250+117.86 грн
1000+79.25 грн
3000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.03 грн
10+270.42 грн
25+238.27 грн
100+211.94 грн
250+180.08 грн
500+156.39 грн
1000+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 26565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineonСиловой MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.14 грн
10000+30.29 грн
20000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 28633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.72 грн
465+30.45 грн
500+29.34 грн
1000+27.38 грн
2500+24.60 грн
5000+22.98 грн
10000+22.42 грн
25000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.63 грн
100+36.74 грн
500+26.85 грн
1000+24.40 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+58.19 грн
256+55.36 грн
339+41.83 грн
500+35.09 грн
1000+28.86 грн
2000+26.76 грн
5000+24.06 грн
10000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.24 грн
25+38.14 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.87 грн
10000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 882267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.25 грн
500+25.06 грн
1000+19.44 грн
5000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.24 грн
10000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.93 грн
10000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.79 грн
10000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.49 грн
10000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.07 грн
16+51.78 грн
100+37.15 грн
500+25.81 грн
1000+20.00 грн
5000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
10+44.78 грн
100+31.70 грн
500+25.58 грн
1000+23.65 грн
2000+21.80 грн
2500+21.39 грн
5000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 транзистор
Код товару: 219437
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDInfineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+225.97 грн
50+161.76 грн
250+139.00 грн
1000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+160.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.76 грн
250+139.00 грн
1000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3 GInfineon
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GInfineon
на замовлення 8671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.96 грн
10000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.38 грн
50+104.04 грн
250+82.91 грн
1000+55.25 грн
3000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 28547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.46 грн
100+73.99 грн
500+55.59 грн
1000+51.13 грн
2000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.04 грн
250+82.91 грн
1000+55.25 грн
3000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC40Brady CorporationDescription: (SOC) BSC40 SOC, 3"X42", CELLULO
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.99 грн
10+230.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.034 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.28 грн
10+260.11 грн
100+193.46 грн
500+162.28 грн
1000+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 21940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3GATMA1 TBSC440n10ns3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.81 грн
13+65.60 грн
100+46.98 грн
500+36.08 грн
1000+24.52 грн
2500+23.97 грн
5000+23.34 грн
10000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.72 грн
100+33.44 грн
500+24.42 грн
1000+22.18 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.98 грн
500+36.08 грн
1000+24.52 грн
2500+23.97 грн
5000+23.34 грн
10000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.20 грн
10000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC4IV2BOSCH
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+104.01 грн
100+71.08 грн
500+53.50 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.32 грн
146+97.12 грн
149+95.23 грн
500+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+132.49 грн
100+99.98 грн
500+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.21 грн
10+90.39 грн
25+88.41 грн
100+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.21 грн
157+90.39 грн
160+88.41 грн
180+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.85 грн
127+111.90 грн
162+87.80 грн
500+73.27 грн
1000+51.94 грн
2000+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.75 грн
10+111.14 грн
100+87.20 грн
500+72.77 грн
1000+51.59 грн
2000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.68 грн
10000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
10+95.10 грн
100+62.91 грн
500+46.12 грн
1000+37.62 грн
5000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 13592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.12 грн
100+60.87 грн
500+45.36 грн
1000+41.58 грн
2000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC52N15NS3GXT BSC520N15NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC56H1Дисплей 7-сегментний, 1-розрядний, h=14.2мм, червоний, загальний анод (CA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3 G
Код товару: 51668
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]