Продукція > BSS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS84AKMB,315NexperiaMOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+2.32 грн
3000+2.15 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1675+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 1675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperia USA Inc.Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2866+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 2866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperiaMOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZNexperia USA Inc.Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSAnalog Power Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2036.58 грн
11+227.56 грн
50+60.37 грн
100+36.72 грн
1000+14.85 грн
3000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKSNXP2P-MOSFET 50V 160mA 7.5Ω 445mW BSS84AKS,115 BSS84AKS NXP TBSS84aks
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
9000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
44+9.73 грн
63+6.74 грн
100+5.46 грн
250+4.87 грн
500+4.50 грн
1000+4.28 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.85 грн
45+17.08 грн
58+13.11 грн
100+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaMOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaMOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3611.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaMOSFETs BSS84AKV/SOT666/SOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.50 грн
8000+5.97 грн
24000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2641+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 2641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.51 грн
8000+5.99 грн
24000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKV115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BSS84AKV - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.69 грн
108+7.04 грн
131+5.77 грн
500+4.03 грн
1000+2.69 грн
5000+2.38 грн
10000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
64+4.76 грн
100+3.87 грн
500+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaMOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2451+5.77 грн
3394+4.17 грн
4688+3.02 грн
5120+2.66 грн
10000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 2451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWAnalog Power Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 0.174A SC70-3
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+2009.15 грн
26+210.72 грн
100+27.27 грн
500+9.02 грн
1000+6.42 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
69+4.44 грн
100+3.61 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKWGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NXPTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+3.70 грн
6000+3.34 грн
9000+2.68 грн
24000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
51+8.30 грн
65+6.47 грн
79+5.35 грн
100+4.46 грн
500+3.20 грн
600+3.10 грн
1000+2.88 грн
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NXPTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW; BSS84AKW,115 TBSS84akw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+1341.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaMOSFETs BSS84AKW/SOT323/SC-70
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
6000+3.34 грн
9000+2.68 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B,115NXP SemiconductorsBSS84AKW-B,115
на замовлення 160514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
100000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B,115NXP SemiconductorsBSS84AKW-B,115
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B115NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-B115NXPDescription: NXP - BSS84AKW-B115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW-BXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW.115NexperiaMOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2,215NXP SemiconductorsBSS84AKW/DG/B2,215
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+11.35 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2215NXPDescription: NXP - BSS84AKW/DG/B2215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKW/DG/B2215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 pC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWYangjie Electronic TechnologyBSS84DW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 7143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
15000+1.96 грн
30000+1.89 грн
60000+1.63 грн
120000+1.49 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-01-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
9000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
на замовлення 173333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.49 грн
25+18.69 грн
50+15.29 грн
100+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F
Код товару: 180540
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes INC.2P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs -50V 200mW
на замовлення 165307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F K84..DIODES/ZETEX2P-MOSFET 50V 130mA 10Ω 300mW BSS84DW-7-F Diodes TBSS84dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-GKGOODWORKDescription: 50V 130mA 6@5V SOT-363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-R1-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
100+11.47 грн
500+8.04 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84DWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.