Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS8402DW-7-FVishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.40 грн
50+32.68 грн
100+20.81 грн
500+13.36 грн
1500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
6000+7.17 грн
9000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDIODES/ZETEXTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 512500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+15.17 грн
1044+13.55 грн
3000+11.48 грн
6000+10.07 грн
9000+8.85 грн
15000+7.98 грн
21000+7.68 грн
30000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
18+23.73 грн
50+16.27 грн
100+13.75 грн
500+9.73 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodesMOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 (SOT-363) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60 / -50V 200mW
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes INC.Транзистор польовий N+P, Udss, В = 60, 50, Id = 115 мА, 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, 45 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мА, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F
Код товару: 177913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.81 грн
500+13.36 грн
1500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.89 грн
100+13.88 грн
500+9.78 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 512500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+15.17 грн
1000+13.55 грн
3000+11.48 грн
6000+10.07 грн
9000+8.85 грн
15000+7.98 грн
21000+7.68 грн
30000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F KNP.DIODES/ZETEXTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-R1-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.72 грн
100+14.44 грн
500+10.20 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-TPMicro Computer ControlBSS8402DW-TP
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N/P MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.78 грн
100+17.80 грн
500+12.66 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.04 грн
36+11.91 грн
100+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 10K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 200mW; SC88,SOT363
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.29 грн
100+18.82 грн
500+13.41 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3615+3.91 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -60V 30V 225mW -0.17A 0.68A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; Idm: -0.68A; 0.225W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.68A
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
65+7.21 грн
120+3.63 грн
250+3.21 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84A-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.43 грн
62+13.17 грн
100+8.37 грн
500+4.83 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 15307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3615+3.91 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+14.25 грн
1026+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.92A
Technology: Trench
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
18+24.49 грн
50+17.19 грн
100+14.26 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+42.58 грн
37+20.63 грн
100+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 11940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.88 грн
79+10.40 грн
124+6.61 грн
500+4.65 грн
1500+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215
Код товару: 180993
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
77+5.45 грн
112+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
у наявності 5 шт:
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 11940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.40 грн
124+6.61 грн
500+4.65 грн
1500+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaMOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 698008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 180 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36 @25, Rds = 7,5 Ом @ 100 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35 (Ta), 1,14 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим:
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215-CNCHIPNOBOBSS84AK CHIPNOBO TBSS84ak CNB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-B215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-BRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84AK-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 500 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.83 грн
72+11.38 грн
113+7.20 грн
500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84AK-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 500 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
113+7.20 грн
500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +25V, -30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK/DG/B2215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315NexperiaMOSFETs BSS84AKM/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315NXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+9.19 грн
10000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.71 грн
50+21.54 грн
250+11.38 грн
1000+7.13 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.71 грн
39+21.38 грн
100+11.38 грн
500+9.28 грн
1000+6.58 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+11.38 грн
1000+7.13 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+2.32 грн
3000+2.15 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1675+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 1675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaMOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKMB,315NexperiaTrans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]