Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.61 грн
500+77.05 грн
1000+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+74.39 грн
100+51.15 грн
500+40.32 грн
1000+38.04 грн
3000+36.24 грн
24000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.19 грн
25+39.79 грн
100+37.39 грн
250+34.43 грн
500+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+104.78 грн
100+74.98 грн
500+57.98 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.19 грн
357+39.79 грн
366+38.77 грн
368+37.19 грн
500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.41 грн
250+115.62 грн
500+91.94 грн
1000+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 11122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 28930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+103.21 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 21.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 28930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.48 грн
10+170.74 грн
100+137.72 грн
500+103.21 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z-PON SemiconductorFDMS6681Z-P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.48 грн
500+110.56 грн
1000+104.42 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7556S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 583774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 582000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
на замовлення 583774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7558SON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7558SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7558SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/49A 8PQFN
на замовлення 11404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7560S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.16 грн
554+64.05 грн
1000+59.06 грн
10000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.16 грн
554+64.05 грн
1000+59.06 грн
10000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
на замовлення 17297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.16 грн
554+64.05 грн
1000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
на замовлення 81825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
10000+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7572S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
10000+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON SemiconductorFDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7578ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7578onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7578ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+91.99 грн
100+71.59 грн
500+56.94 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7600ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 22A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7600ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.48 грн
6000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.56 грн
500+81.50 грн
1000+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+96.06 грн
100+57.99 грн
500+46.18 грн
1000+42.39 грн
3000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.68 грн
100+58.75 грн
500+43.89 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.71 грн
10+132.62 грн
25+131.32 грн
100+85.63 грн
250+78.48 грн
500+59.58 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.62 грн
108+131.32 грн
160+88.80 грн
250+84.76 грн
500+62.07 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7606ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.35 грн
292+48.57 грн
297+47.80 грн
302+45.35 грн
500+41.30 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.68 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
на замовлення 26301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+67.08 грн
100+52.19 грн
500+41.51 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608Sonsemi / FairchildMOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
10+35.33 грн
100+30.03 грн
500+29.82 грн
1000+28.86 грн
3000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.19 грн
6000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.35 грн
25+48.57 грн
100+46.09 грн
250+41.99 грн
500+39.65 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+63.68 грн
1000+58.73 грн
10000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.22 грн
6000+32.30 грн
9000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.98 грн
500+41.35 грн
1000+38.18 грн
3000+33.48 грн
6000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.04 грн
100+55.48 грн
500+41.38 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON Semiconductor
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.15 грн
6000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.09 грн
100+48.41 грн
500+35.90 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7621SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.14 грн
500+89.74 грн
1500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7650onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+148.08 грн
100+103.24 грн
500+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]