Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.83 грн
300+47.30 грн
423+33.52 грн
500+27.69 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEInfineon technologies
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.7A; 38W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1757+20.18 грн
10000+17.99 грн
100000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.32 грн
5000+16.38 грн
7500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.79 грн
30000+18.99 грн
45000+17.68 грн
60000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.32 грн
5000+16.38 грн
7500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+99.04 грн
500+89.14 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.71 грн
264+53.85 грн
268+52.99 грн
272+50.27 грн
500+45.78 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.87 грн
50+66.16 грн
100+55.52 грн
500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.41 грн
132+107.69 грн
187+75.85 грн
500+58.85 грн
1000+50.11 грн
2500+43.46 грн
5000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.41 грн
10+107.69 грн
100+75.85 грн
500+58.85 грн
1000+50.11 грн
2500+43.46 грн
5000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+71.43 грн
552+64.29 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.71 грн
25+53.85 грн
100+51.09 грн
250+46.55 грн
500+43.95 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.54 грн
10+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SInfineon
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.77 грн
190+74.67 грн
269+52.83 грн
500+40.62 грн
1000+34.51 грн
2500+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.77 грн
11+74.67 грн
100+52.83 грн
500+40.62 грн
1000+34.51 грн
2500+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.75 грн
50+44.50 грн
100+37.13 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
10000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.16 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.63 грн
50+52.05 грн
100+43.51 грн
500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.91 грн
36+21.08 грн
37+20.01 грн
100+18.23 грн
250+17.22 грн
500+16.94 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.96 грн
300+47.25 грн
500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.60 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.08 грн
684+20.75 грн
695+20.42 грн
706+19.37 грн
718+17.64 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.08 грн
100+52.38 грн
500+38.81 грн
1000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.53 грн
31+24.76 грн
32+23.50 грн
100+21.41 грн
250+20.23 грн
500+19.89 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.22 грн
500+88.40 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+24.76 грн
582+24.37 грн
592+23.98 грн
601+22.75 грн
611+20.72 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.15 грн
5000+63.80 грн
7500+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.44 грн
5000+64.07 грн
7500+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.54 грн
50+81.64 грн
100+68.75 грн
500+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.04 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.72 грн
7500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.