Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
10000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+81.77 грн
100+55.57 грн
500+45.91 грн
1000+36.24 грн
2500+32.03 грн
10000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R460CEAUMA1 - IPD60R460 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.36 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R460CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number IPD60R520C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520CPATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 44555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+46.60 грн
100+34.59 грн
500+33.48 грн
1000+31.13 грн
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.89 грн
17+47.68 грн
100+40.67 грн
500+33.65 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.28 грн
269+52.75 грн
303+46.83 грн
305+44.87 грн
500+41.35 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 123590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+72.56 грн
543+65.30 грн
1000+60.22 грн
10000+51.77 грн
100000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.28 грн
25+52.75 грн
100+45.16 грн
250+41.55 грн
500+39.70 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.63 грн
100+52.10 грн
500+38.65 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+56.09 грн
100+37.10 грн
500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.00 грн
191+74.48 грн
212+66.93 грн
250+59.87 грн
500+51.10 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+75.10 грн
100+43.22 грн
500+33.96 грн
1000+29.06 грн
2500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.20 грн
10+89.00 грн
25+74.48 грн
100+64.54 грн
250+55.43 грн
500+49.05 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+92.04 грн
500+82.84 грн
1000+76.39 грн
10000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPInfineonMOSFET N-Ch 600V 6.1A DPAK-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R600CP - IPD60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A DPAK-2 CoolMOS E6
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+72.61 грн
543+65.35 грн
1000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+81.77 грн
100+47.22 грн
500+38.66 грн
1000+33.83 грн
2500+29.20 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+56.02 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+68.99 грн
100+40.38 грн
500+33.07 грн
1000+28.99 грн
2500+26.65 грн
5000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+56.02 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.66 грн
100+43.88 грн
500+32.39 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.33 грн
100+40.78 грн
500+30.01 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
11+74.50 грн
100+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.17 грн
153+92.97 грн
207+68.51 грн
219+62.42 грн
500+51.37 грн
2500+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.64 грн
100+37.55 грн
500+29.48 грн
1000+26.85 грн
2500+23.75 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SInfineon
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SInfineon TechnologiesInfineon CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.93 грн
5000+19.84 грн
12500+19.64 грн
25000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.27 грн
5000+25.40 грн
10000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.17 грн
10+47.28 грн
50+33.49 грн
100+29.00 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+25.65 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.89 грн
220+64.62 грн
311+45.71 грн
500+35.52 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 33677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.15 грн
100+33.58 грн
500+24.44 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.24 грн
12+64.17 грн
100+45.40 грн
500+35.28 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.61 грн
5000+20.41 грн
7500+20.19 грн
12500+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.00 грн
235+60.37 грн
290+49.02 грн
306+44.77 грн
500+35.02 грн
1000+30.78 грн
2500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.34 грн
50+48.24 грн
100+34.55 грн
500+25.65 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
5000+17.25 грн
10000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
5000+19.59 грн
12500+19.39 грн
25000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.80 грн
5000+19.36 грн
7500+18.54 грн
12500+16.52 грн
17500+16.01 грн
25000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1181+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 1181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]