Продукція > AIM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.33 грн
10+157.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.65 грн
10+121.73 грн
100+121.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
30+228.17 грн
120+190.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 202A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 202A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2195.29 грн
30+2074.84 грн
120+1900.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 202A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2322.44 грн
30+1464.11 грн
120+1349.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 202A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2195.29 грн
30+2074.84 грн
120+1900.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 13.7mA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.63 грн
30+896.99 грн
120+781.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1933.99 грн
10+1591.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1899.94 грн
10+1187.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-11 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1899.94 грн
12+1187.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1933.99 грн
10+1591.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 49A; Idm: 176A; 163W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R030M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+425.72 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.72 грн
30+679.33 грн
120+586.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.00 грн
10+814.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.42 грн
30+571.17 грн
120+490.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1262.00 грн
18+814.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1006.34 грн
21+692.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.55 грн
10+595.72 грн
25+589.69 грн
50+562.99 грн
100+483.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+996.55 грн
24+595.72 грн
25+589.69 грн
50+562.99 грн
100+483.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.34 грн
10+692.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.46 грн
30+448.19 грн
120+381.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.18 грн
30+302.19 грн
120+253.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R120M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+445.80 грн
960+409.33 грн
1440+382.87 грн
1920+350.07 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.01 грн
10+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+690.01 грн
36+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.71 грн
35+405.54 грн
40+355.76 грн
50+339.60 грн
100+265.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
30+251.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.71 грн
10+405.54 грн
25+355.76 грн
50+339.60 грн
100+265.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 109W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-14 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R040M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-14
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28