Продукція > APT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT33GF120BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 297W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/210ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 297 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120BRG
Код товару: 47005
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120BRGMicrosemiIGBT 1200V 52A 297W TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 297W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120BRGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120HR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 64A 357W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/185ns
Switching Energy: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMicrosemiIGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMICROSEMITO264-3/high voltage power IGBTs APT33GF120
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCCU2MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCCU2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCCU3Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCU2MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCU2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCU3MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT33N90JCU3Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 34 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100B2MICROSEMIT-MAX/POWER FREDFET - MOS8 APT34F100
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 34 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100LMICROSEMITO264-3/35 A, 1000 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34F100
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F100LMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60BMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 600 V 34 A TO-247
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60BMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-247
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60BGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 624W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT34F60S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 624W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M120JMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M120JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M120JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1200V, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M120JMICROSEMIISOTOP/N-Channel MOSFET APT34M120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60BMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 624W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60SMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 600 V 34 A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 624W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60S/TRMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS8 600 V 34 A TO-268 Tape & Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34M60S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 624W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80B2C3APT09+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80B2C3GMICROSEMITMAX-3/34 A, 800 V, 0.145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34N80B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80B2C3GMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 800 V 34 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80B2C3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80LC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80LC3GMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 800 V 34 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT34N80LC3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 34A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35DL120HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15
Код товару: 111866
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15MICROSEMITO247/High Speed PT IGBT APT35
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15MicrochipIGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMICROSEMITO-247AD/94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1781.32 грн
14+1022.49 грн
25+943.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT FS 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120L2DQ2GMicrochip Technology / AtmelIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 605-614 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 94A 379W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120SGMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP SINGLE 1200V 35A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120SGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, D3, TO-268, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268 Tape & Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: -, 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2D2apt8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2D2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2D2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 96A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/99ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.185mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 540 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2DF2APTTO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2DQ2GMICROSEMIT-MAX/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 96A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 543 W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1439.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2SC20Microchip TechnologyDescription: IGBT PT MOS 7 COMBI 1200 V 35 A
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120B2SC20Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120BGMICROSEMITO247-3/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 96A 543W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/94ns
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 284 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2586.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120JMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120JDQ2MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 284 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2962.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GP120JFD2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GT120JU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - IGBT APT35
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.