Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7668ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7668ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7674DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7674DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI768
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DPVISHAY09+
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DP-T1VISHAY
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7682DY-T1-GE3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7684DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 20A 27.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7684DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686VISHAY09+
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DPSI
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1(транзистор)
Код товару: 52360
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3VISHAY11+ QFN
на замовлення 58621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+98.50 грн
100+66.93 грн
500+50.13 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.28 грн
10+101.56 грн
100+69.09 грн
500+51.82 грн
1000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686SDP-T1-E3
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI768LG
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDNSI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1VISHAY
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-TI-E3QFN??
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EPN
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705DVIS06+ SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705DNSI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705DN-T1
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705DN-T1-E3VISHAY06+
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7705DN-TI-E3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.23 грн
146+97.12 грн
200+90.14 грн
500+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VISHAY0952NO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.31 грн
10+77.16 грн
100+51.80 грн
500+38.39 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.62 грн
12000+77.33 грн
18000+71.94 грн
24000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 27.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716adn-ti-ge3
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716DN-T1-E3
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716DN-T1-E3
Код товару: 160019
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3
на замовлення 16163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7726DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 35A 52W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 62W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.14 грн
10+185.36 грн
100+130.62 грн
500+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.74 грн
88+160.76 грн
89+159.82 грн
100+150.93 грн
250+136.80 грн
500+128.50 грн
1000+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.14 грн
10+185.36 грн
100+130.62 грн
500+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 62W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.74 грн
10+160.76 грн
25+159.82 грн
100+150.93 грн
250+136.80 грн
500+128.50 грн
1000+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DPVISHAY08+ DIP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 83W 3.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]