Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805STMicroelectronicsSTMicroelectronics Low voltage fast-switching PNP power transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV fast-switching PNP power trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.92 грн
100+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.61 грн
5000+94.68 грн
10000+93.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.61 грн
5000+94.68 грн
10000+93.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD28NF03L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD28NF06-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ -12 A, STripFET H6 Power MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2955T4GonsemiSwitching Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD29NE03L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD29NF03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD29NF03L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V ON-ON 2P QC No Panel Seal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-58Carling TechnologiesToggle Switches STD2E1-58
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STD2E1-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E4-53Carling TechnologiesSwitch Toggle ON None ON DPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7431.94 грн
5+6346.48 грн
10+6025.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E4-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 2-pole, ON - None - ON, 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.99 грн
272+52.21 грн
276+51.43 грн
280+48.84 грн
500+44.52 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.22 грн
10+52.27 грн
100+39.14 грн
200+37.48 грн
500+35.57 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.99 грн
25+52.21 грн
100+49.59 грн
250+45.22 грн
500+42.74 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z
Код товару: 61746
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.90 грн
50+65.54 грн
100+55.05 грн
500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMN-CH 600V 4.4A 4.8 Om DPAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1
Код товару: 88433
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.53 грн
75+67.02 грн
150+56.60 грн
525+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60ZT4
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 14994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.45 грн
12+68.62 грн
25+67.95 грн
100+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.20 грн
50+44.87 грн
100+37.46 грн
500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2LN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
10+110.68 грн
50+84.21 грн
100+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.20 грн
101+140.57 грн
120+118.12 грн
200+108.67 грн
500+100.30 грн
1000+86.98 грн
2000+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.29 грн
10+103.87 грн
25+87.25 грн
50+76.45 грн
100+68.14 грн
200+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N50-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N52
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.10 грн
20+39.47 грн
25+38.86 грн
100+36.87 грн
250+33.59 грн
500+31.71 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.83 грн
255+53.68 грн
500+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.96 грн
25+58.83 грн
100+53.81 грн
250+49.71 грн
500+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.48 грн
50+70.70 грн
100+59.44 грн
500+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STTransistor N-Channel MOSFET; 620V; 30V; 3,6Ohm; 2,2A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD2N62K3 TSTD2N62K3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.48 грн
5000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+55.37 грн
274+51.75 грн
500+48.97 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.38 грн
5000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.93 грн
14+55.02 грн
100+51.42 грн
500+46.92 грн
1000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 45W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.72 грн
5000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.48 грн
5000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.92 грн
50+67.13 грн
100+56.39 грн
500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.