Продукція > STD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD28NF06-TR | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ -12 A, STripFET H6 Power MOSFET | на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2955T4G | onsemi | Switching Controllers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD29NE03L-TR | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD29NF03L | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD29NF03L-T4 | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD2E1-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-On Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-53 | Carling Technologies | Toggle Switches 16A 12/24V ON-ON 2P QC No Panel Seal | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-On Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-58 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-On Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-58 | Carling Technologies | Toggle Switches STD2E1-58 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-78 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Voltage Rating - DC: 24 V Part Status: Active Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Actuator Type: Standard Round Actuator Length: 17.45mm Illumination: Non-Illuminated Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Function: On-On Circuit: DPDT Mounting Type: Panel Mount Current Rating (Amps): 16A (DC) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E1-78 | Carling Technologies | Toggle Switches STD2E1-78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E4-53 | Carling Technologies | Switch Toggle ON None ON DPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2E4-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2E4-53 | Carling Technologies | Toggle Switches 2-pole, ON - None - ON, 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z Код товару: 61746
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STM | N-CH 600V 4.4A 4.8 Om DPAK-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1359 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 Код товару: 88433
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2HNK60ZT4 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET | на замовлення 9298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 14994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V | на замовлення 14568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 8Ω Drain current: 0.95A Power dissipation: 60W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1.05kV Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 2242 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package | на замовлення 7392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N50 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N50-TR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD2N52 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N62K3 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 620V; 30V; 3,6Ohm; 2,2A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD2N62K3 TSTD2N62K3 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V | на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected | на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD2N95K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD2NA40T4 | STM | 07+ TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

