Продукція > Si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4477DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.03 грн
10+75.20 грн
100+54.64 грн
500+40.72 грн
1000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.33 грн
5000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480DYSOP 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480DY-T100+ QFP
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYVishay / SiliconixMOSFETs 80V 6A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EY-T1
на замовлення 46750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482SISOP-8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY
Код товару: 36624
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1-E3-E3VISHAY09+
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1SOP-8VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.06 грн
152+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.11 грн
5000+28.76 грн
7500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3
Код товару: 185572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 23416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 20424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.95 грн
10+71.06 грн
100+47.68 грн
500+35.32 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 23416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 29747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+72.30 грн
25+64.09 грн
100+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483DYVISHAY09+
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483DY-T1-E3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-E3VISHAYSOP-8 0250+
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDYT1E3VISHAY
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EY-T1-E3VISHAY
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484STSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DYVISHAY09+
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DY-T1
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DY-T1-E3VISHAY2004
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ДОСТУПЕН SI4484EY-T1-E3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1VISHAY0437+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay Siliconix(100% замена SI4482DY), PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix30V 6.0A 5.0W 42mohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.18 грн
10+43.04 грн
50+31.77 грн
100+26.38 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486SISOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486DYVISHAY09+
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486DY-T1-E3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-TE2
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V -11.6A 5W
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488SIEMENS01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI44880DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVISHAY09+
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.69 грн
10+105.82 грн
25+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VISHAYMOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+166.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.