Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.88 грн
5000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.31 грн
10+75.38 грн
100+54.77 грн
500+40.82 грн
1000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 6192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480DYVHSAYSOP 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480DY-T1SILCONIX00+ QFP
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYVishay / SiliconixMOSFETs 80V 6A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EY-T1
на замовлення 46750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4480EYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482SISOP-8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY
Код товару: 36624
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1-E3-E3VISHAY09+
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DY-T1SOP-8VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4482DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.18 грн
5000+28.83 грн
7500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 30258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+72.48 грн
25+64.24 грн
100+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 20424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.23 грн
10+71.23 грн
100+47.79 грн
500+35.41 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3
Код товару: 185572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483DYVISHAY09+
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483DY-T1-E3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-E3VISHAYSOP-8 0250+
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EDYT1E3VISHAY
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483EY-T1-E3VISHAY
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484STSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DYVISHAY09+
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DY-T1
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484DY-T1-E3VISHAY2004
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ДОСТУПЕН SI4484EY-T1-E3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1VISHAY0437+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay Siliconix(100% замена SI4482DY), PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.11 грн
10+33.28 грн
100+23.94 грн
500+18.56 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3
на замовлення 58588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix30V 6.0A 5.0W 42mohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486SISOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486DYVISHAY09+
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486DY-T1-E3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-TE2
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V -11.6A 5W
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488SIEMENS01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI44880DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVISHAY09+
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VISHAYMOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.61 грн
10+104.88 грн
25+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]