Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.41 грн
221+63.97 грн
250+59.33 грн
500+53.90 грн
1000+46.94 грн
2000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF530 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.59 грн
10+111.54 грн
50+84.75 грн
100+71.44 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SSiliconixN-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.83 грн
10+94.93 грн
100+92.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.69 грн
109+130.39 грн
118+119.86 грн
250+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.95 грн
10+88.88 грн
50+71.11 грн
100+66.03 грн
250+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.15 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayIRF530SPBF 100V, 14A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 14 Amp
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530STRLPBF - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 14A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.05 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.59 грн
10+95.11 грн
25+84.14 грн
100+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRPBFIR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.97 грн
10+112.83 грн
50+85.85 грн
100+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF532Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF532HARRISIRF532
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5340TRIOR07+ MSOP8
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540
Код товару: 7921
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STMicroelectronicsMOSFETs MOSFET 100V .077 OHM M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NXPN-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF540 - MOSFET, N TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STMN-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SiliconixN-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540,127NXPIRF540,127 IRF540/G N-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540-321LIR2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540/SNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5407PBFIOR2007
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540AonsemiMOSFETs TO-220 N-Ch A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540AONS/FAI(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540B
Код товару: 30163
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540F1STMMOSFET 100V, 22A, 85Вт, -55...+175, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540G
Код товару: 23705
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NInfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 914 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NInternational RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, P=140W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NInternational RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Код товару: 1956
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
Код товару: 205784
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 60A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-CN CHIPNOBO TIRF540n CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL
Код товару: 83091
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+103.70 грн
500+93.33 грн
1000+86.07 грн
10000+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.09 грн
176+80.41 грн
299+47.20 грн
500+45.06 грн
1000+41.30 грн
4000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 222983
Додати до обраних Обраний товар
INFINEONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 20.09.2026
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFJSMSEMI(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.41 грн
100+47.20 грн
500+45.06 грн
1000+41.30 грн
4000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
10+56.46 грн
20+45.29 грн
50+35.89 грн
100+31.41 грн
500+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+47.82 грн
1000+44.10 грн
10000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 45778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 465 шт
  • 412 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 60
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]