Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | на замовлення 250459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4 Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 250mW Gain: 22dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-143R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT143-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182RE7764HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP182RE7764HTSA1 - BFP182 LOW-NOISE SI TRANSISTORS UP TO 2 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 259459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182T-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182T-GS08 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182TW-GS08 | VISHAY | SOT343 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182W | INFINEON | 09+ | на замовлення 21018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182W | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182W | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182W E6327 | INFINEON | SOT343-RG PB-FRE | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182W E6327 SOT343-RG | INFINEON | на замовлення 74970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP182W-E6327 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP182WE-6327 | на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP182WE-6372 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP182WE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP182WE6327 - BFP182 LOW-NOISE SI TRANSISTORS UP TO 2 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 159010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182WE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 250mW Gain: 22dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182WE6327SOT343-RGPB-FREE | INFINEON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP182WH6327 | Infineon technologies | на замовлення 8946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 250mW Gain: 22dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 250mW Gain: 22dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 6836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183 | SIEMENS | SOT143 | на замовлення 4144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183 | Infineon Technologies | Description: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 37017
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183 E7764 | INFINEON | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183-E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT143-4 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Power - Max: 250mW Gain: 22dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.25W Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 8603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183E7764HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183T-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183T-GS08/83P | VISHAY | на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183TGS08 | VISHAY | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183W | Infineon | SOT-343 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183W E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP183WE6327 - BFP183 LOW-NOISE SI TRANSISTORS UP TO 2 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1440 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WE6327SOT343-RH | INFINEON | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183WH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WH6327 | Infineon technologies | на замовлення 11545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 11050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 65mA Power dissipation: 0.45W Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Frequency: 8GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Case: SOT343 Type of transistor: NPN | на замовлення 2154 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193 Код товару: 73681
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP193 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP193 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193 E6327 | INFINEON | RCS/143 BD | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193-E6327 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP193E-7764 | на замовлення 1222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT143 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Current gain: 70...140 | на замовлення 1598 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327 | Infineon Technologies | Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND Part Status: Active Supplier Device Package: SOT143 (SC-61) Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 18dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Bulk Frequency - Transition: 8GHz | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327 Код товару: 113898
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-143 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 15369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-143 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 12dB ~ 18dB Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP193E6327SOT143-RC | INFINEON | на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP193T-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193W | Infineon | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP193W E6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193WE6327 BFP193W | Infineon | NPN Silicon RF Transistor SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP193WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

