Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.46 грн
169+83.92 грн
172+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.66 грн
15000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.20 грн
10+96.08 грн
25+92.89 грн
100+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 51177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+89.82 грн
50+67.79 грн
100+56.96 грн
500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.20 грн
148+96.08 грн
153+92.89 грн
166+82.40 грн
250+73.77 грн
500+66.75 грн
1000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+125.67 грн
100+86.88 грн
500+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.08 грн
82+173.26 грн
100+163.83 грн
200+156.84 грн
500+131.54 грн
1000+119.21 грн
2000+116.18 грн
5000+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+236.25 грн
100+168.40 грн
500+140.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS G
Код товару: 203094
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GINFINEONQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+91.28 грн
500+82.15 грн
1000+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LS
Код товару: 148887
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+62.24 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.76 грн
50+60.67 грн
100+50.83 грн
500+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.16 грн
122+116.54 грн
175+80.97 грн
500+63.21 грн
1000+50.24 грн
2000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1
Код товару: 222639
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.54 грн
10+117.49 грн
100+81.63 грн
500+63.72 грн
1000+50.66 грн
2000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 FL Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 22832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI
Код товару: 196252
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+280.81 грн
53+270.11 грн
100+260.95 грн
250+243.99 грн
500+219.77 грн
1000+205.82 грн
2500+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+208.63 грн
30+161.86 грн
50+155.15 грн
100+150.12 грн
300+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 34065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.15 грн
85+168.27 грн
125+113.90 грн
500+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1InfineonN-Channel 40V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.89 грн
10+168.42 грн
25+168.31 грн
100+107.74 грн
250+98.77 грн
500+82.47 грн
1000+74.11 грн
3000+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
582+60.85 грн
1000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 22206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.42 грн
85+168.31 грн
127+111.73 грн
250+106.67 грн
500+85.90 грн
1000+74.11 грн
3000+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.17 грн
10+169.65 грн
100+114.84 грн
500+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.24 грн
10+169.02 грн
100+113.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 22206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+74.95 грн
50+56.23 грн
100+47.10 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.99 грн
10+97.31 грн
100+77.19 грн
500+68.30 грн
1000+62.61 грн
5000+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+216.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1
Код товару: 198659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.95 грн
100+67.42 грн
500+50.60 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.42 грн
147+96.52 грн
185+76.56 грн
500+67.75 грн
1000+62.11 грн
5000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+104.10 грн
500+93.69 грн
1000+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+104.10 грн
500+93.69 грн
1000+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NS
Код товару: 144121
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSInfineonMOSFET N-Ch 60V 30A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+166.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.