Продукція > BSO
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSO150N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO150N03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 4440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO150N03S . | на замовлення 2060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSO150N3 | INFINEON | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSO200N03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSO200N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03S | INFINEON | SOP-8 | на замовлення 2238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200N03S . | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSO200N3S | INFINEON | на замовлення 20098 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSO200P03S | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03S | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -9.1A SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03S H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03S H Код товару: 182879
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 Код товару: 149476
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO200P03SNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 14340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SP | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SP . | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSO201SP H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 3645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SPH | Infineon Technologies | Description: BSO201 - 20V-250V P-CHANNEL POWE | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 9652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO201SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO201SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203P | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 8.2A DSO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203P | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 421 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -8.2A DSO-8 OptiMOS P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203PH | Infineon Technologies | Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SP | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 9A SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SP | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203SP | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SP H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO203SPHXUMA1 - BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon | MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPHXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203SPNT | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO203SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO203SPNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO204P | Infineon | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO204PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 60µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1513pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO207P | INFINEON | 09+ SMD8 | на замовлення 3480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO207P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 44µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO207PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8DSO Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211P | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 5350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Part Status: Active Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO211P . | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSO211P H | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211PH | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.6W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -4.6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO211PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO Supplier Device Package: PG-DSO-8 FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO215C | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO215C | Infineon | 03+ | на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO220N | INFINEON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSO220N03MD G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 19448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO220N03MDG | Infineon | 2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 6342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M | на замовлення 56535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

