Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3M0045065DCREEN-Channel 49A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.97 грн
30+408.94 грн
60+375.28 грн
120+325.63 грн
510+283.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.92 грн
100+987.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.15 грн
50+517.92 грн
100+480.47 грн
500+406.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.09 грн
10+1053.38 грн
100+834.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.97 грн
30+408.94 грн
60+375.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.97 грн
10+937.52 грн
100+725.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.65 грн
10+485.85 грн
50+391.78 грн
100+348.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+315.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+967.98 грн
10+960.72 грн
25+953.46 грн
50+912.41 грн
100+838.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.15 грн
30+549.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+960.72 грн
25+953.46 грн
50+912.41 грн
100+838.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.14 грн
10+440.43 грн
25+432.32 грн
100+385.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+431.00 грн
300+389.04 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065D---SICFET N-CH 650V 37A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.65 грн
30+365.39 грн
60+334.65 грн
120+289.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+431.00 грн
300+389.04 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+230.73 грн
100+228.46 грн
250+218.03 грн
500+199.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.73 грн
100+228.46 грн
250+226.11 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.65 грн
10+426.38 грн
50+342.22 грн
100+295.77 грн
500+251.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+796.75 грн
19+768.46 грн
50+612.88 грн
100+590.09 грн
200+544.69 грн
1000+475.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.19 грн
10+497.48 грн
100+419.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.65 грн
30+365.39 грн
60+334.65 грн
120+289.80 грн
510+250.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.96 грн
25+627.41 грн
100+542.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+502.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+898.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.43 грн
10+805.05 грн
25+653.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+730.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+502.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedSiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.76 грн
10+435.51 грн
50+349.54 грн
100+304.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1057.91 грн
19+773.21 грн
25+765.44 грн
100+590.01 грн
500+541.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.91 грн
10+773.21 грн
25+765.44 грн
100+590.01 грн
500+541.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+487.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.19 грн
30+429.07 грн
120+365.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1656.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1431.25 грн
30+865.69 грн
60+804.79 грн
120+707.23 грн
510+682.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+918.38 грн
18+810.89 грн
50+809.01 грн
100+759.20 грн
200+700.44 грн
1800+670.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1005.22 грн
5+836.97 грн
10+772.40 грн
30+745.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1656.30 грн
10+1536.55 грн
25+1099.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DCREEMOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1088.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.08 грн
10+1013.90 грн
50+843.31 грн
100+740.02 грн
500+704.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1095.53 грн
10+908.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1088.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1061.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.08 грн
10+1013.90 грн
50+919.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1682.04 грн
10+1514.49 грн
25+1479.69 грн
50+1392.21 грн
100+1146.89 грн
500+1017.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.04 грн
10+1514.49 грн
25+1479.69 грн
50+1392.21 грн
100+1146.89 грн
500+1017.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.