Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 21682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+70.65 грн
50+52.82 грн
100+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 41A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.33 грн
750+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.59 грн
10+79.86 грн
25+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
6000+5.32 грн
9000+4.71 грн
15000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 500mA; 500mW; PICOSTAR3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: SMD
Gate charge: 281pC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 79136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
50+10.42 грн
100+8.51 грн
500+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.60 грн
100+10.85 грн
500+8.17 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+6.02 грн
9000+5.68 грн
15000+5.11 грн
21000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
9000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
6000+5.32 грн
9000+4.71 грн
15000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.97 грн
100+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 8742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.10 грн
50+46.95 грн
100+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4Ω
Pulsed drain current: 1.6A
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.46 грн
750+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFETs 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2
Код товару: 130599
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 8470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.17 грн
18+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.02 грн
100+17.30 грн
500+12.28 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.03 грн
6000+15.03 грн
9000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30329.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55840.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Container Type: Box
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31760.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128LGPentairLight Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50834.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35842.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610SSHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166PentairSteel Wall Mount Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55711.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Part Status: Active
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33331.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166EMCSSHoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS EMC ENCL. 16.00X16.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Stainless Steel
Color: Natural
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106689.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6.
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35144.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Part Status: Active
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Stainless Steel
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Color: Natural
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+115476.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X8.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168SSSTHoffman Enclosures, Inc.Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168STHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD162010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+66016.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16206Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16206LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16206LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37826.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 12552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.97 грн
100+26.14 грн
500+20.96 грн
1000+18.35 грн
3000+14.76 грн
6000+12.37 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 12,5, Qg, нКл = 2,8 @ 4,5 В, Rds = 24 мОм @ 4 А, 8 В, Ugs(th) = 1,55 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 6-SON Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET
на замовлення 47320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 12552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.97 грн
542+26.14 грн
675+20.96 грн
1000+18.35 грн
3000+14.76 грн
6000+12.37 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.16 грн
500+15.12 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.79 грн
106+133.77 грн
147+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.77 грн
100+79.96 грн
500+60.26 грн
1000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.90 грн
102+138.96 грн
142+100.16 грн
250+95.62 грн
500+74.19 грн
1000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.79 грн
10+133.77 грн
100+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.52 грн
10+144.90 грн
25+138.96 грн
100+96.59 грн
250+88.54 грн
500+71.23 грн
1000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsCSD16321Q5 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5
Код товару: 94698
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+101.07 грн
25+92.05 грн
100+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]