Продукція > GAN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GAN22LU-V24-2261500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2261500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN30048EUAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN30084EUAmphenolGAN30084EU
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1694+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 1694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN310U-A0U-6040200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN310U-A0U-6040500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200-10HHirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6101000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-7430200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P2M-2280200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.35 грн
3000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperiaGaN FETs SOT8072 100V 60A FET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.08 грн
10+224.35 грн
100+140.04 грн
500+121.23 грн
1000+104.51 грн
1500+103.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.55 грн
10+211.42 грн
100+149.99 грн
500+122.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.75 грн
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-A0U-6100500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2280200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2281500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2281500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2590500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN75420TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: DISK-2K +/-1% SL 18.64 +/-1%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.28 грн
10+243.85 грн
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.71 грн
500+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperiaGaN FETs SOT8073 150V 28A FET
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.99 грн
10+179.48 грн
100+110.78 грн
500+91.97 грн
2500+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
13+63.73 грн
100+62.10 грн
500+56.16 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.67 грн
10+46.55 грн
100+40.06 грн
500+38.39 грн
1000+35.39 грн
2500+30.80 грн
5000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.10 грн
500+56.16 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+522.66 грн
50+430.98 грн
100+346.97 грн
250+340.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+767.33 грн
5+645.40 грн
10+522.66 грн
50+430.98 грн
100+346.97 грн
250+340.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperiaGaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.01 грн
10+407.83 грн
100+260.57 грн
500+257.09 грн
1000+235.49 грн
2500+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.67 грн
10+359.20 грн
100+278.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+119.71 грн
100+82.55 грн
500+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.74 грн
500+94.35 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.03 грн
10+138.61 грн
100+83.61 грн
500+67.09 грн
1000+64.73 грн
2500+56.36 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.12 грн
10+178.01 грн
100+122.74 грн
500+94.35 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.88 грн
10+107.37 грн
100+63.54 грн
500+50.72 грн
1000+46.61 грн
2500+42.15 грн
5000+38.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.69 грн
100+68.48 грн
500+51.33 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.98 грн
500+74.20 грн
1000+62.91 грн
5000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.97 грн
10+146.31 грн
100+99.98 грн
500+74.20 грн
1000+62.91 грн
5000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.28 грн
10+206.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.33 грн
10+209.12 грн
100+135.86 грн
500+113.57 грн
1000+107.99 грн
2500+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.61 грн
10+164.25 грн
100+112.87 грн
500+94.06 грн
1000+89.18 грн
2500+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
10+177.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperiaGaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.94 грн
10+504.78 грн
100+335.12 грн
1000+306.56 грн
2500+284.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.63 грн
10+512.50 грн
50+413.08 грн
100+357.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.47 грн
50+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.29 грн
10+157.84 грн
100+98.24 грн
500+82.21 грн
1000+78.03 грн
2500+65.28 грн
5000+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperiaGaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.86 грн
10+268.41 грн
100+167.91 грн
500+151.89 грн
1000+128.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+237.46 грн
100+170.14 грн
500+154.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+84.76 грн
50+72.22 грн
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperiaGaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.11 грн
10+70.99 грн
100+51.35 грн
500+49.47 грн
1000+47.73 грн
2500+45.71 грн
5000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.2A, 6V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.08 грн
10+118.58 грн
100+70.37 грн
500+59.29 грн
1000+52.46 грн
2500+45.71 грн
5000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.2A, 6V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.13 грн
5+758.38 грн
10+621.83 грн
50+543.44 грн
100+372.75 грн
250+365.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]