Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.53 грн
10+357.48 грн
100+261.55 грн
500+238.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.80 грн
10+408.34 грн
100+310.88 грн
500+279.70 грн
1000+249.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+408.34 грн
100+310.88 грн
500+279.70 грн
1000+249.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.04 грн
10+380.15 грн
100+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.97 грн
10+281.04 грн
100+171.89 грн
500+169.13 грн
1000+159.47 грн
2000+143.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.54 грн
10+365.65 грн
100+272.22 грн
500+231.84 грн
1000+209.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.12 грн
10+358.84 грн
100+231.95 грн
500+221.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.45 грн
10+341.78 грн
100+249.99 грн
500+204.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+365.65 грн
100+272.22 грн
500+231.84 грн
1000+209.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+730.11 грн
25+698.73 грн
50+672.11 грн
100+626.12 грн
250+562.16 грн
500+524.99 грн
1000+512.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5Infineon
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+616.90 грн
36+404.39 грн
100+340.40 грн
500+286.31 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+185.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+537.20 грн
50+342.29 грн
100+261.75 грн
500+225.11 грн
1000+198.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+267.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+448.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+275.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 35802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.30 грн
10+292.95 грн
100+192.61 грн
500+179.49 грн
1000+171.89 грн
2000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET, полевой, HSOF-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.66 грн
10+401.62 грн
100+338.06 грн
500+284.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+273.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.01 грн
10+335.12 грн
100+242.07 грн
500+189.95 грн
1000+182.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+537.20 грн
50+342.29 грн
100+261.75 грн
500+225.11 грн
1000+198.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+275.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 6753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.44 грн
10+293.46 грн
100+210.29 грн
500+164.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+347.13 грн
50+230.34 грн
100+163.50 грн
500+139.85 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.42 грн
10+252.46 грн
100+163.61 грн
500+137.38 грн
1000+127.02 грн
1800+119.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+228.45 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+161.22 грн
3600+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+161.74 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.50 грн
500+139.85 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.79 грн
10+185.62 грн
100+130.76 грн
500+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.99 грн
10+342.29 грн
100+277.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+98.03 грн
3600+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+342.29 грн
100+277.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.74 грн
10+225.47 грн
100+146.35 грн
500+122.19 грн
1000+113.22 грн
1800+106.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.88 грн
10+319.14 грн
100+202.96 грн
500+184.32 грн
1000+169.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.72 грн
10+267.96 грн
100+193.57 грн
500+181.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NM5LF2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 321A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 321A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 206nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+255.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.22 грн
10+297.71 грн
100+187.08 грн
500+173.28 грн
1000+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+155.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
10+257.19 грн
100+185.49 грн
500+172.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5Infineon
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.84 грн
500+182.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+214.35 грн
100+131.86 грн
500+115.29 грн
2000+107.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
10+199.83 грн
100+141.99 грн
500+124.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.54 грн
10+304.44 грн
25+277.06 грн
100+231.84 грн
500+182.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A10-2PBN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A10-2PCPHM9EMI67F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A12-10PN407GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A16-23SSRGlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01A16-8PPHM11F2GlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E18-11PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E20-41PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01E8-2PCSRF11GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01G10-6SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01J14-12/3SGlenairCircular MIL Spec Connector
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01M8-3PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01PP18-USBA-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT01QC12-A6PGB39GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.84 грн
10+254.84 грн
100+163.61 грн
500+144.97 грн
1000+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1008.33 грн
25+961.78 грн
50+923.08 грн
100+858.73 грн
250+770.45 грн
500+719.38 грн
1000+701.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.82 грн
10+272.07 грн
100+194.17 грн
500+151.01 грн
1000+141.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.45 грн
10+195.33 грн
25+192.21 грн
100+182.34 грн
250+166.05 грн
500+156.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.03 грн
10+261.75 грн
100+205.38 грн
500+165.28 грн
1000+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+237.37 грн
100+154.64 грн
500+137.38 грн
1000+134.62 грн
2000+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+128.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.45 грн
73+195.33 грн
74+192.21 грн
100+182.34 грн
250+166.05 грн
500+156.82 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+146.71 грн
4000+133.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+181.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+128.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.05 грн
500+163.78 грн
1000+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.11 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1InfineonКорпус: PG-HSOF-8-1, OptiMOSTM3Power-Transistor, 100V, -55...+175С Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.86 грн
10+206.26 грн
100+146.20 грн
500+120.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.54 грн
10+231.51 грн
100+184.34 грн
500+164.81 грн
1000+145.76 грн
2000+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+352.76 грн
50+233.57 грн
100+165.11 грн
500+142.10 грн
1000+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.85 грн
10+219.11 грн
100+135.31 грн
500+118.05 грн
2000+110.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+184.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]