Продукція > IPZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+406.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.77 грн
10+416.63 грн
25+351.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+491.49 грн
31+467.91 грн
50+458.49 грн
100+440.97 грн
200+407.26 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R070CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.10 грн
55+259.67 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
30+197.80 грн
120+189.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.76 грн
10+269.10 грн
25+259.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA60R099CM8XKSA1
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.12 грн
10+251.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.42 грн
30+259.60 грн
60+236.07 грн
120+202.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+178.53 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1432.57 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPZA65R018CM8XKSA1
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.56 грн
30+704.31 грн
60+652.46 грн
120+571.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.71 грн
30+553.03 грн
120+478.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R029CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 69A; 305W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 69A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA65R040CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.