Продукція > IQE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQE050N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V | на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE050N08NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE050N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE050N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE057N10NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | на замовлення 6198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | на замовлення 9915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 4375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE065N10NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE065N10NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE17-05NNSKW2S | SICK | Description: SICK - IQE17-05NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 5mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V tariffCode: 90318080 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Kunststoff isCanonical: Y IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Modul Sensorausgang: NPN / SPST-NO euEccn: NLR Sensoranschlüsse: Kabel Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IQE Series Erfassungsreichweite, max.: 5mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 75°C Erfassungsreichweite, nom.: 5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE17-05NPSKW2S | SICK, Inc. | Description: INDUCT PROXIM SENS Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -25°C ~ 75°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67 Indicator: No Indicator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE17-07NNSKW2S | SICK | Description: SICK - IQE17-07NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 7mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 7mm productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: NPN / SPST-NO usEccn: EAR99 DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Produktpalette: IQE Series | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE220N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE220N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Package / Case: 9-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerWDFN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE220N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE220N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V | на замовлення 4448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| iQE24009A120V-001-R | TDK-Lambda Americas Inc | Description: DC DC CONVERTER 12V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24009A120V-007-R | TDK-Lambda Americas Inc | Description: DC DC CONVERTER 12V 108W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE24012A080V-001-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 8V 96W Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray Package / Case: Quarter Brick Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 12A Supplier Device Package: Quarter Brick Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 8V Power (Watts): 96 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24015A033V-031-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Power (Watts): 50 W Part Status: Obsolete Voltage - Output 1: 3.3V Voltage - Input (Min): 16V Supplier Device Package: Quarter Brick Current - Output (Max): 15A Efficiency: 90% Voltage - Input (Max): 40V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Isolated Module Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Package / Case: Quarter Brick Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24015A033V-031-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24015A050V-031-R | TDK-Lambda Americas Inc | Description: DC DC CONVERTER 5V 75W Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray Package / Case: Quarter Brick Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 15A Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Obsolete Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE24024A050V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE24024A050V-001-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 5V 120W Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Control Features: Enable, Active Low Voltage - Output 1: 5V Voltage - Input (Min): 18V Current - Output (Max): 24A Efficiency: 90% Voltage - Input (Max): 36V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Intermediate Bus Converter Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm) Package / Case: 8-DIP Module Features: Remote On/Off, OCP, OVP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24024A050V-007-R | TDK-Lambda Americas Inc | Description: DC DC CONVERTER 5V 120W Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Power (Watts): 120 W Voltage - Output 1: 5V Voltage - Input (Min): 18V Supplier Device Package: Quarter Brick Current - Output (Max): 24A Efficiency: 90% Voltage - Input (Max): 36V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Isolated Module Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Package / Case: Quarter Brick Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE24030A033V-007-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 18-36VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE48010A150V-001-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 15V 150W Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray Package / Case: Quarter Brick Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 10A Supplier Device Package: Quarter Brick Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 15V Power (Watts): 150 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE48010A150V-001-R | TDK-Lambda | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 15V 10A 150W 8-Pin Quarter-Brick | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE48010A150V-007-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 15V 150W Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP Packaging: Tray Package / Case: Quarter Brick Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 10A Supplier Device Package: Quarter Brick Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 15V Power (Watts): 150 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE48010A150V-007-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE48017A120V-000-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE48017A120V-001-R | TDK-Lambda | DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE48017A120V-001-R | TDK-Lambda Americas Inc | Description: DC DC CONVERTER 12V Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Part Status: Active Control Features: Enable, Active Low Voltage - Output 1: 12V Voltage - Input (Min): 36V Current - Output (Max): 17A Efficiency: 90% Voltage - Input (Max): 75V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Isolated Module Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm) Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick Features: Remote On/Off, OCP, OVP Packaging: Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE48017A120V-007-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE48030A050V-001-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 5V 150W Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Control Features: Enable, Active Low Voltage - Output 1: 5V Voltage - Input (Min): 36V Current - Output (Max): 30A Efficiency: 91% Voltage - Input (Max): 75V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Intermediate Bus Converter Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm) Package / Case: 8-DIP Module Features: Remote On/Off, OCP, OVP Packaging: Bulk | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQE48030A050V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| iQE48040A033V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE4W011A120V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-60V 12Vout11A132W NegPlrty 1/4brick T | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE4W011A120V-001-R | TDK-Lambda | Description: DC DC CONVERTER 12V 132W Efficiency: 90% Voltage - Input (Max): 60V Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Type: Intermediate Bus Converter Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm) Package / Case: 8-DIP Module Features: Remote On/Off, OCP, OVP Packaging: Bulk Voltage - Isolation: 1.5 kV Number of Outputs: 1 Control Features: Enable, Active Low Voltage - Output 1: 12V Voltage - Input (Min): 18V Current - Output (Max): 11A | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQED-IGNITION | FreeWave Technologies | Description: IQ EDITION, IGNITION Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 440A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.46mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 440A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.46mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V | на замовлення 6301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 14766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 4730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 5327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 5153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V | на замовлення 4472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |