Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL2505LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505LPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 104A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF
Код товару: 191359
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 68 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1204/17,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFJSMSEMIN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF
Код товару: 27992
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 104 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 120 шт
  • 99 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInternational RectifierTO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineonN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFVBSEMIN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SVBSEMI(TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBF
Код товару: 18630
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 104 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5000/130
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STR IRL2505SPBFInternational Rectifier(TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+187.77 грн
100+186.95 грн
500+107.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.95 грн
500+107.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.96 грн
10+185.08 грн
100+160.25 грн
800+99.63 грн
2400+82.21 грн
4800+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703International RectifierN-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInternational RectifierТранзистори
на замовлення 187 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF
Код товару: 114363
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910L
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910NSIR
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInternational RectifierHEXFET TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBF
Код товару: 99525
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 55 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 23 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+95.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5001 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBF
Код товару: 118889
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 55 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+155.00 грн
10+142.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineonTransistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineonTransistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+192.09 грн
100+134.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.61 грн
10+164.25 грн
100+107.99 грн
500+94.75 грн
800+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.06 грн
10+190.21 грн
100+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.03 грн
1600+96.98 грн
2400+93.38 грн
4000+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.33 грн
63+225.35 грн
100+221.58 грн
500+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.33 грн
500+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SZIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFIR
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInternational Rectifier(TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]