Продукція > ISC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.85 грн
154+92.14 грн
161+88.12 грн
200+83.50 грн
500+77.10 грн
1000+73.82 грн
2000+73.51 грн
5000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.98 грн
250+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 115W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+88.92 грн
100+54.54 грн
500+43.28 грн
1000+37.97 грн
2500+37.35 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.45 грн
100+58.36 грн
500+43.48 грн
1000+39.86 грн
2000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.71 грн
10+222.72 грн
100+158.58 грн
500+131.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+204.32 грн
25+188.01 грн
100+159.59 грн
250+151.55 грн
500+146.70 грн
1000+140.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.12 грн
500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
на замовлення 18544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
11+29.02 грн
100+24.06 грн
500+22.18 грн
1000+21.98 грн
2000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 8156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
13+25.80 грн
100+20.71 грн
500+20.43 грн
1000+19.88 грн
5000+18.02 грн
10000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.55 грн
19+42.44 грн
100+30.12 грн
500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.32 грн
206+68.98 грн
234+60.60 грн
245+55.93 грн
500+48.94 грн
1000+44.55 грн
2000+42.32 грн
5000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 1500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.36 грн
500+34.40 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 10433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.73 грн
100+40.27 грн
500+29.55 грн
1000+26.90 грн
2000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+80.18 грн
100+47.22 грн
500+35.83 грн
1000+30.38 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 170A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 170A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 1500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
12+71.36 грн
100+47.36 грн
500+34.40 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N08NM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+174.66 грн
100+108.38 грн
500+89.05 грн
2500+85.60 грн
5000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC019N10NM8ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.97 грн
10+267.54 грн
100+173.28 грн
500+145.66 грн
1000+134.62 грн
2500+125.64 грн
5000+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC019N10NM8ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC019N10NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.93mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC019N10NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.93mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC019N10NM8SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC01PNKK SwitchesOLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC01PNKK SwitchesDescription: GRAPHIC DISPLAY OLED RGB -
Dot Pixels: 52 x 36
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Interface: SPI
Backlight: Without Backlight
Display Type: OLED - Passive Matrix
Packaging: Box
Part Status: Active
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3441.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.48 грн
10+183.39 грн
100+137.38 грн
500+133.93 грн
1000+130.47 грн
2500+128.40 грн
5000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+132.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.82 грн
250+182.02 грн
1000+160.79 грн
3000+145.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+231.17 грн
100+197.12 грн
500+136.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC022N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+285.11 грн
50+211.82 грн
250+182.02 грн
1000+160.79 грн
3000+145.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.77 грн
16+53.64 грн
100+40.59 грн
500+31.93 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+35.60 грн
25+32.01 грн
100+26.34 грн
250+24.57 грн
500+23.50 грн
1000+22.26 грн
2500+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.59 грн
500+31.93 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC024N08NM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+157.98 грн
100+95.96 грн
500+80.77 грн
1000+74.56 грн
5000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+101.04 грн
25+91.93 грн
100+76.88 грн
250+72.39 грн
500+69.69 грн
1000+66.36 грн
2500+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.48 грн
10+142.11 грн
100+84.91 грн
500+70.41 грн
1000+65.93 грн
2500+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.69 грн
500+134.62 грн
1000+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
10+197.44 грн
100+139.56 грн
500+112.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.13 грн
10+229.54 грн
100+162.69 грн
500+134.62 грн
1000+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 7022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+204.82 грн
100+126.33 грн
500+112.53 грн
1000+111.14 грн
2500+110.45 грн
5000+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+23.26 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 21409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+55.57 грн
100+37.26 грн
500+26.31 грн
1000+23.06 грн
2000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.92 грн
10+50.49 грн
100+28.93 грн
500+23.13 грн
1000+19.26 грн
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
16+51.46 грн
100+33.91 грн
500+23.26 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+306.05 грн
250+231.95 грн
1000+183.98 грн
3000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.78 грн
10+236.78 грн
100+167.55 грн
500+129.53 грн
1000+120.63 грн
2000+116.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+508.21 грн
50+306.05 грн
250+231.95 грн
1000+183.98 грн
3000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.81 грн
500+28.49 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.76 грн
15+53.96 грн
100+36.81 грн
500+28.49 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1Infineon Technologies TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.20 грн
10+52.71 грн
100+31.27 грн
500+26.09 грн
1000+22.23 грн
2500+20.16 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
12+70.31 грн
100+46.47 грн
500+31.19 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 13077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.34 грн
100+40.59 грн
500+31.89 грн
1000+26.72 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.29 грн
100+43.47 грн
500+32.00 грн
1000+29.17 грн
2000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.47 грн
500+31.19 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 6343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+179.41 грн
100+126.14 грн
500+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+251.28 грн
250+185.24 грн
1000+140.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+192.92 грн
100+121.50 грн
500+102.86 грн
1000+99.41 грн
5000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+399.48 грн
50+251.28 грн
250+185.24 грн
1000+140.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.05 грн
10+216.28 грн
100+191.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.75 грн
10+394.64 грн
100+285.92 грн
500+240.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+285.92 грн
500+240.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.66 грн
10+295.33 грн
100+188.46 грн
500+167.75 грн
1000+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC031N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+128.61 грн
100+77.32 грн
500+63.51 грн
1000+61.16 грн
2500+59.09 грн
5000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]