Продукція > NSB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-M3/IVishayRectifiers RECT 1KV 8A SM GLASS
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+99.10 грн
100+77.29 грн
500+59.92 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHM3/IVishayRectifiers RECT 1KV 8A SM GLASS
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Resistor - Base (R1): 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3275+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.45 грн
100+10.35 грн
500+7.92 грн
1000+5.88 грн
2000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.47 грн
8000+5.04 грн
12000+4.36 грн
28000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5G
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
6000+5.58 грн
9000+5.49 грн
15000+5.06 грн
21000+5.00 грн
30000+4.95 грн
75000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
31+9.81 грн
35+8.63 грн
100+6.93 грн
250+6.37 грн
500+6.03 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 408mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.14 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 408mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.53 грн
100+13.02 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
2000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1G
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.57 грн
86+8.79 грн
112+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+8.79 грн
2087+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
11+29.21 грн
100+18.18 грн
500+11.67 грн
1000+8.98 грн
2000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.94 грн
8000+8.13 грн
12000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]