Продукція > NSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+99.10 грн
100+77.29 грн
500+59.92 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHM3/IVishayRectifiers RECT 1KV 8A SM GLASS
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 269mW
Case: SOT963
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3366+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
на замовлення 107188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 4000pcs.
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+21.66 грн
100+13.73 грн
500+9.67 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.14 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.53 грн
100+13.02 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
2000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.57 грн
86+8.79 грн
112+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+8.79 грн
2087+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
11+29.21 грн
100+18.18 грн
500+11.67 грн
1000+8.98 грн
2000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.94 грн
8000+8.13 грн
12000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 447554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3571+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.